晶体的主要参数
1、 等效串联电阻ESR
等效串联电阻ESR 是机械损耗的电气表示，它是晶体中动态等效电阻R1、静电容C0 和振荡
电路上电容容抗的组合。ESR 是一个非常重要的参数，通常在晶体的数据手册中提供。ESR 通常取
决于晶体本体的物理尺寸大小，小体积(SMD)的晶体损耗、ESR 和启动时间通常大于大体积的晶体。
晶体的ESR 太高，晶体振荡电路就会变得不稳定并停止振荡。因此，每一个晶体有ESR 的最
大限值。ESR 值比建议的最大值越低，那么振荡器启动和稳定性就越好。
2、 负载电容CL
负载电容CL 是指晶体的两条引线连接IC 内部以及外部所有有效电容等效之和。应用中，它与
晶体等效电路模型中的C0 属于并联关系。CL 通常在晶体的数据手册中提供。负载电容CL 不同决
定了振荡器的振荡频率不同，为了达到晶体的标称振荡频率，需要对CL 的值做出规定。因此，当
两个标称频率相同的晶体互换时，需特别关注负载电容值是否一致。
3、 静电容C0
静电容C0 是指晶体的寄生电容。它通常与晶体的几何尺寸和电极面积有关。静电容C0 和负
载电容CL 一起影响晶体的振荡频率。
4、 激励功率DL
激励功率DL 是指晶体工作时消耗的功率。它通常在晶体的数据手册中提供，单位为uw。晶
体的实际工作消耗功率必须保持规定的范围之内，激励功率太小或太大，都会影响到晶体的正常
使用。
5、 频率偏差
频率偏差是指晶体频率与晶体本身中心频率的偏差，单位为PPM。频差是频率偏差的简称，
通常晶体规格书中会给出25℃下的调整频差和全温度范围下的温度频差，在温度范围要求较高时，
应更多关注温度频差。
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