MOSFET发热严重，

登录 · 发表于 2012-7-3 23:06

利用单片机的PWM波形驱动三极管，然后再去驱动IR9630（P型MOSFET），空载的时候没有问题，一旦带点负载，电流约为1A的样子，管子发热严重，然后停止工作！
管子为TO-220封装，加了散热片！驱动电路图片如下,大家帮我分析一下，谢谢！

发表于 2012-7-3 23:07

单片机的PWM波形频率约为60KHZ！

发表于 2012-7-4 08:42

1、驱动电压是否合适
2、驱动的瞬间电流能提供
3、驱动电阻选择是否合适
4、吸收电路是否合适

发表于 2012-7-4 09:06

:handshake

发表于 2012-7-4 13:06

:dizzy:

发表于 2012-7-4 13:24

高速应用，栅源电容避之不及。还要加上一个0.1u电容，能不热么。

去掉栅源电容，如果速度还不够考虑在栅源间加一个低阻泄放回路。

发表于 2012-7-4 14:58

7 楼有道理

发表于 2012-7-4 15:07

泄放回路:sleepy:

发表于 2012-7-4 15:17

谢谢大家的帮助，电容C12已经去掉了，C11也去掉，依然发热严重，不带负载，没
有任何问题，一旦负载电流约为1A的样子，散热片就像个电烤炉，很火！

发表于 2012-7-4 16:40

应该是驱动电路的问题,,换一个吧.这个电路用在PWM,驱动与泄放的能力都很弱.引起了IRF的开关损耗.
你这个电路在慢速的开,关可能能用的.
你试试慢速的开关测试:
从PWM口输出一高电平让Q3常通,看IRF9630热不热?热表示管子没关断.泄放不够.
从PWM口输出一低电平让Q3关断,看IRF9630热不热?热表示管子导通不足.驱动不够.
建议换一个高速驱动电路.

发表于 2012-7-4 19:05

11# 独自探索
谢谢指点！

发表于 2012-7-4 19:54

单片机的PWM波形频率约为60KHZ！频率太高。
你这个电路充电放电都慢，开关损耗太多
参考推挽的设计

发表于 2012-7-4 21:05

楼主的电路如果是慢开慢关基本上可用，
用60K的PMW危险。
去掉R11，C12，将R10改为200R，R9改小10倍试试

发表于 2012-7-4 21:22

除了C11，C12影响，还有MOSFET输出直接接C13大电容，有这样的PWM用法吗？不热就怪了。

发表于 2012-7-4 22:16

本帖最后由 bybxjhsy 于 2012-7-4 22:27 编辑

就按照60KHZ 50※占空比，Ton，Tof 各占10％的时间，相对来说够慢了吧，你算算需要多大驱动电流，可以说更本满足不了你的驱动要求，这么高频率，你管子基本处于可变电阻区，有示波器测测G点波形就明白了。

发表于 2012-7-4 23:24

去掉了C11，C12，发热得到了改善！
30V 输出，1A的电流，工作20分钟，发热基本正常！
明天再测试1.5A 电流，看看发热怎么样！

发表于 2012-7-5 07:16

18# king5555
您好：串联电感有什么作用！请指点！:handshake

发表于 2012-7-5 07:34

18# king5555
接了100UH的电感，基本没有什么效果！
是不是参数不对！

发表于 2012-7-5 09:10

发表于 2012-7-5 09:14

你这个MOS的驱动电路用在60KHZ本来就是个错误的设计，，重新设计驱动电路吧，，否则发热没法解决。

MOSFET发热严重，

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