1：对于MOS集成电路，要防止静电的干扰和危害。MOS半导体管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称。在其栅极及基片之间，有一层绝缘的二氧化硅薄层，输入阻抗又高，当输入端的电荷积累到一定程度时，极易造成栅极穿，使MOS集成电路损坏。
所以在使用MOS集成电路时，应注意静电隔离及泄放。
（1）使用的工作台严禁铺垫有机玻璃等绝缘良好的板材，应铺垫平整的铝板及铁板并将其接地，有条件可铺导电橡胶。
（2）使用的仪器及工具都必须良好接地。
（3）焊接时宜使用20W内热式电烙铁，若使用普通电烙铁，则烙铁头应接地。
（4）操作人员工作时不允许穿戴容易产生静电的尼龙及纯绦纶等衣物，在有条件时应穿导电工作服。
（5）更换集成电路时，应先切断电源。
（6）存放集成电路时，应把器件放入金属容器内，也可用铝箔将器件包封。
（7）所有多余不用的输入端不能悬空，应按工作性能的要求执着电源或接地。
以上防静电措施和一些注意的事项对NMOS和CMOS集成电路都适用。 |
|
楼主
