1:对于MOS集成电路,要防止静电的干扰和危害。MOS半导体管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称。在其栅极及基片之间,有一层绝缘的二氧化硅薄层,输入阻抗又高,当输入端的电荷积累到一定程度时,极易造成栅极穿,使MOS集成电路损坏。
所以在使用MOS集成电路时,应注意静电隔离及泄放。
(1)使用的工作台严禁铺垫有机玻璃等绝缘良好的板材,应铺垫平整的铝板及铁板并将其接地,有条件可铺导电橡胶。
(2)使用的仪器及工具都必须良好接地。
(3)焊接时宜使用20W内热式电烙铁,若使用普通电烙铁,则烙铁头应接地。
(4)操作人员工作时不允许穿戴容易产生静电的尼龙及纯绦纶等衣物,在有条件时应穿导电工作服。
(5)更换集成电路时,应先切断电源。
(6)存放集成电路时,应把器件放入金属容器内,也可用铝箔将器件包封。
(7)所有多余不用的输入端不能悬空,应按工作性能的要求执着电源或接地。
以上防静电措施和一些注意的事项对NMOS和CMOS集成电路都适用。 |