所以短期工作一般不会烧毁，但MCU的工作电流会比正常值大很多。
长时间工作的情况下，据我听说的结论是：IO的驱动能力会变弱
不会烧坏的另一个依据是：MCU的IO口一般都做了对应的LATCH UP防烧设计，大家都知道，发生LATCH UP的时候，一般是在这个IO口出现过大的电流，在发生LATCH UP的时候，只要电流没有大到一定程度，IO口一般都不会烧坏，但从我曾经看到的例子知道，这个IO口的带载能力确实变弱了，在过去，我曾经以为MCU的IO口内部采用了并联结构，在发生LATCH UP的时候有一部分坏了，所以造成带载能力的减弱，但从我和IC设计的专业人士的交流过程中得知，这个猜测是错误的，真正的原因可能是某一层变薄的原因，当达到一定程度的内电场平衡后，从而限制电流进一步增大，如果变薄的为0依然不能限制电流的进一步增加则发生烧坏，而这个变薄可能是不可恢复的，所以造成的现象就是撤消POWER后，MCU的IO口性能如果没有发生烧坏则性能有所下降的现象。
其实没必要追究下去，再追究下去就要追究MCU最基本的半导体知识了，俺当年一时好奇就稍微了解了一些，其实没多大意义。
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