STM32的FSMC是否有方法可以实现CS延迟？

只看该作者 · 2012-7-5 20:40

本帖最后由 aozima 于 2012-7-5 22:06 编辑

STM32F4使用FSMC连接RA8875，
测试有发现读取数据时，地址自增有时没成功。
具体表现为连接写入了一些数据如 12345678.
实际读出来的可能为 01122345 或123445这样的。
进行重复读取确认数据写入是成功的，故障发生在读取时。
仔细对比RA8875的时序要求，发现RA8875有一个address hold time
在STM32的FSMC上面是不支持的。
注：这里的address hold time指CS和A0延迟于RD释放。

STM32只支持全部同时释放，因此造成RA8875内部的坐标自增不成功。
本来只需要每次读一个数据即可，但因为有dummy read的存在，
所以，依然没法保证第一个数据就是对的。

下图是RA8875的时序要求，可以看到有一个tAH。

下面是STM32的FSMC时序，所有模式下都是CS与RD全部同时释放。

这是某处理器的时序，可以看到每个时间段都可以独立控制。

1万 · 2012-7-5 21:58

楼主分析得很仔细, 我也仔细看了下时序的说明, 的确,写的时候还有个 1HCK 的延时, 读却不能实现这个延时.

只看该作者 · 2012-8-16 12:37

本帖最后由 aozima 于 2012-8-16 12:57 编辑

开始想到一个方法：

就是实测时，有一定的运气会是OK的，所以打算把光标设置不自增，然后多读几次，取最后一次的值。
结果新生产了一批板子，运气值变成0。

想到另一个规避方法：
读GRAM时，把CS设置成GPIO。这样依然可以读数据。读完以后再设置回CS。
但问题来了，因为FSMC上面会有多个外设，且会使用DMA或在外部SRAM中执行程序。

因GPIO没办法保持绝对同步，所以打算：
NAND FLASH与LCD之间可以用互斥量解决。
最麻烦的是SRAM，这块打算使用NWAIT来解决。

当LCD需要读取GRAM时，把互斥量锁住，再把NWAIT锁住。

但反过来，当SRAM正忙时，我要去读取GRAM，又如何得知呢？