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SST 的 memBrain 技术已在 40nm 和 28nm 晶圆厂工艺中完成量产验证，并计划向 22nm 节点扩展。从 28nm 到22nm 的工艺微缩如何具体提升 bitcell 密度、运算吞吐量和功耗效率？Flash eNVM 在先进工艺节点中面临的物理挑战（如浮栅耦合比、氧化层可靠性、短沟道效应）如何影响 memBrain 的多级编程精度？22nm memBrain 的开发计划是否意味着 SST 正在为下一代 APU 的性能跃升做技术储备？与 RRAM 等新兴非易失存储技术在先进节点上的发展前景相比，SuperFlash 的工艺兼容性优势能维持多久？
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