请教P沟道开关电路！

只看该作者 · 2012-7-6 20:37

电路如上图：节点1平时输入50VDC，当需要负载工作时会有2秒左右220VDC电压；单片机控制信号会输出至节点5。请教下大家这个电路可行不，如果可以还需要改进什么地方，多谢了！另外，目前自己试时R2用的100k电阻。

只看该作者 · 2012-7-6 21:28

大家给看看了，另外50VDC时也会要求导通，时间上应该是要求正常工作个半小时一小时。

1万 · 2012-7-7 09:34

Q1要装上足够大的散热器。R3也用100k。

只看该作者 · 2012-7-7 09:40

输入怎么还会有220V？？

你PMOS的GS耐压要注意啊；

只看该作者 · 2012-7-7 18:48

本帖最后由 townes 于 2012-7-7 21:03 编辑

先谢谢楼上两位。
to xmar ：200VDC只有两三秒左右，电流200多毫安，也要加散热器吗？Q1压差并不大啊！因为50VDC时也会要求Q1导通，100k的电阻怕D2稳压电流不够稳不住
to firewolf：输入时200VDC持续两三秒最多，GS耐压要注意什么啊，怎么改一下电路会更好的请问？单位都是新人，水平都菜尤其模电呵呵，因为这个负载是**（1000米井下的，无人），所以请教下大家了，领导不关心可靠性但自己得多学习注意了呵呵

只看该作者 · 2012-7-8 13:05

本帖最后由 yhf311 于 2012-7-8 13:24 编辑

该电路中，两个MOS管均工作于可变电阻区，导通的时候功率均不大。

只看该作者 · 2012-7-8 13:44

楼主电路如果是慢开慢关的话基本没问题。
注意D2稳压管不能大于MOS的栅源电压容限，
另外Q2是浪费大材小用，一个BJT足够
输出既无稳压又无限流不明白楼主要干哈

只看该作者 · 2012-7-8 20:24

3q to yhf311.
to MCU52：这个电路是其中一路，还有一路一样的，一路用来给后一级供电，100mA最多，另一路在200VDC（2到3秒）来时接通**起爆装置，电流最多200mA，但是50VDC和200VDC是在一条缆芯上的。本来想用BJT，想着MOS管耐压高的多好选呵呵BJT可以给推荐几款吗，明天去公司再选选，另外用三极管是在射极串电阻限流可靠呢还是直接不要让三极管工作在饱和开关状态好呢谢谢大家！

只看该作者 · 2012-7-9 09:19

7# MCU52

谢谢了，Q2换成BF620，pmbta44，buj100哪个更可靠一些的，因为都没用过，选择采购再试已经来不及了，多谢了！

只看该作者 · 2012-7-9 20:43

9# townes
只要耐压有个300V左右就可以。这个管子工作在截止和饱和状态，电流小功耗小。
如果你用大功率MOS一方面驱动是个问题，还会引入额外的延迟。另外成本也高了，耐压够的小功率BJT就行。具体你看下耐压就好了。R3还可以加大点。

只看该作者 · 2012-7-10 21:45

10# MCU52
加大R3会不会导致稳压管稳不住啊？因为50VDC时也要控制MOS管导通一段时间，我再看看稳压管资料了，不过好像没有最小稳压电流这一参数，谢谢了！

只看该作者 · 2012-7-10 21:57

11# townes
小功率稳压管同0.几到几个mA没问题的。另外如果你将R3=47K，在低压时没有稳压管时栅源电压最大在50*10K/（10K+47K）=8.3V是没问题的。主要是在200V时会超。
如没稳压管时200*10K/（10+47k）=30多V，MOS就GAME OVER

只看该作者 · 2012-7-10 21:59

本帖最后由 townes 于 2012-7-10 22:03 编辑

12# MCU52
好的，知道怎么弄了，但是R2是用10K电路稳定呢还是100K呢？多谢了嘿嘿

只看该作者 · 2012-7-10 22:25

本帖最后由 MCU52 于 2012-7-10 22:30 编辑

] 13# townes
R2对MOS的闭合速度有影响。只可以尽量的小，就用10K。
上面R3对MOS的开通有影响，大了慢点，在电压高时又减小了稳压管的功耗是矛盾的

只看该作者 · 2012-7-10 22:29

14# MCU52
ok，3q了 MCU52:)

请教P沟道开关电路！

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