*************************[ 上电复位初始化 ] ******************************
;上电复位初始化处理,包括堆栈设定,RAM初始化
reset:
;内部SRAM清零,范围0x0060~0x045f
ldi XL, 0x60 ;X寄存器低字节设置为0x60
clr XH ;X寄存器高字节设置为0x00
ldi r16, 0x00 ;r16装载初值0
sram_init:
st X+, r16 ;SRAM写0,地址自增1
cpi XH, high(RAMEND) ;if (XH < 0X04)
brlo sram_init ;跳至sram_init
cpi XL, low(RAMEND)+1 ;if (XL != 0x60) 跳至sram_init,否则，初始化结束
brne sram_init ;
;设置堆栈指针为内部RAM顶部
ldi r16, high(RAMEND)
out SPH, r16
ldi r16, low(RAMEND)
out SPL, r16 |
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