电子负载控制速度问题-更新图，分析

只看该作者 · 2012-7-12 15:50

本帖最后由 wanyong.hr 于 2012-7-15 09:42 编辑

最近做了一个电阻负载，目的是恒定的给一个电阻供电，用的IGBT作为开关，在测试中发现IGBT一导通，电子负载不能迅速控制住输出电流，导致负载电阻2端电压等于输入电压，持续20MS,同时发现5V电源在IGBT导通时有很大的干扰波形.

只看该作者 · 2012-7-13 16:38

负载电阻等于输入电压？输入电压指的50V吗？下面还串联5R测试电阻呢，上面没压降？

只看该作者 · 2012-7-13 17:13

恩，导通IGBT,直接50V加到5R的测试电阻上，持续20MS.

只看该作者 · 2012-7-13 22:37

估计是因为运放驱动能力太弱，mos不能很快进入放大区，加个推挽吧

只看该作者 · 2012-7-15 09:35

用示波器测量后，波形如下：

只看该作者 · 2012-7-15 09:41

蓝色为OP07输出端，OP07上电后，同相端有个设定电压，而负端因为IGBT没导通，取样电阻无电流，反向端也就无电压，OP07饱和输出，MOS饱和，IGBT导通一瞬间MOS管仍然全开，电压全部加在负载上，大概40US后反馈控制正常，才进入恒流区。
需要解决开IGBT的时候MOS管是关闭的，大家支招啊。

只看该作者 · 2012-7-15 13:00

本帖最后由 zhaohe2001 于 2012-7-15 13:13 编辑

....大概40US后反馈控制正常 ...
wanyong.hr 发表于 2012-7-15 09:41

不能说40us后反馈控制才正常，其实反馈控制一直都在起作用，只不过运放驱动mos的能力太弱，从导通到关掉mos的时间就需要40us。
如果想在接入负载之前让mos处于关断状态，那么它的响应同样慢，到时候你就该哭着喊着问为什么40us mosfet才导通？？
提高驱动能力才是根本

只看该作者 · 2012-7-15 17:49

多谢楼上分析，我这就加一级驱动实验下。

只看该作者 · 2012-7-17 08:29

那是当然的，你要先把IGBT开通然后再次开通电子负载，

只看该作者 · 2012-7-17 09:22

最新进展，昨天再次更改电路，更改为OP07S输出接三极管推挽，同时将OP07的输出端和反馈端接一NPN三极管，平时处于跟随状态，避免饱和输出，输出时，先开IGBT，在关闭三极管，可以避免出现电压瞬间失控冲到最大电压，但是上升沿不够陡，大概40US，查了下OP07的压摆率，为0.3V/US，打算换一个高压摆率的运放实验下。
如果电路结构不改，还是按照一楼的图，如果换一个高压摆率的运放，估计失控时间会短很多，（一楼测量错误，不是20MS，是40US左右）。
回头上图

电子负载控制速度问题-更新图，分析

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