许多年轻的工程师在工作中考虑潜在设计选项时首先想到可编程逻辑。然而，随着对可编程逻辑的日益依赖也给教授电路设计带来了经常被忽略的一些问题，这使许多年轻的工程师在创建系统时，没有意识到现在有许多可选择的技术能够解决他们在设计方面的挑战。在许多情况下，这种行业选择的知识缺乏与实践设置经验的缺乏是有关系的，这种专门技术的缺乏直接影响到他们设计高性能、低成本产品的能力。
图1：用于高性能路由器的40Gbps解决方案。
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内嵌的缓冲存储器
这种趋势的最好例子就是内嵌的数据缓冲存储应用。多年来，FIFO和多端口存储器一直是资深设计工程师创建高性价比的数据缓冲子系统的事实上的标准。然而，随着FPGA存储器密度的增加，设计工程师们已经选择使用片上存储器替代分立的FIFO或多端口存储器的功能。
对高级系统来说，把分立的FIFO或多端口存储器功能集成到FPGA似乎很有意义。将多个数据缓冲器和数据控制功能集成一个芯片中，提供了一个更为优秀的解决方案。其吸引力在于能使设计工程师减少元件数量和最大限度地缩小电路板的空间需求。为了帮助设计工程师，FPGA供应商提供了一系列标准化的设计构建模块来加速开发进程。
但是，优秀的解决方案需要一定的成本，高密度的FPGA并不便宜。当数据总线速度超过100MHz，同时需要更高密度的缓冲器时，那就要更加昂贵的 FPGA。性能也可能成为一个问题。当工程师把FIFO或多端口存储器功能集成到可编程逻辑单元时，一些性能局限并不是显而易见的。在许多情况下，采用分立元件或结合小型FPGA可以提供更为理想的解决方案。
在没有意识的情况下问题产生了。假定教育机构过分依赖可编程逻辑，那么今天的许多工程师就失去了对分立的专用存储器最新发展的认识，例如FIFO和多端口存储器。现在，半导体供应商可提供密度范围高达18Mb的FIFO器件。读写端口能够完全独立地以高达250MHz的速度运行，而且DDR选项能使每个端口性能提高达20Gbps。众多的可选择端口特性使用户可选择总线的宽度、I/O电压、数据速率和同步或异步操作。集成标记运算(flag operation)增加了器件的功能，最重要的是，整个产品线的引脚兼容性使设计工程师很容易升级到更高的密度和速度。
多端口存储器有类似的发展过程。设计工程师可选择每个端口不同总线宽度，支持8到72位之间的器件。这些器件在同步模式下速度高达200MHz或在异步模式访问速率达 10ns，同时密度高达36Mb。目前器件可支持的内核电压范围为5V、3.3V、2.5V或1.8V，I/O电压为5V、3.3V、2.5V，可选择 3.3V/2.5V或1.8V。还有许多特殊功能可供使用，包括全边界计数器(full-boundary counter)、独立字节使能、冲突检测、中断、旗语和忙仲裁。
内嵌数据缓存的性能局限性
当一直被教育使用 FPGA的工程师设计数据缓冲子系统时，他们自然地倾向于把FIFO设计成FPGA。然而许多人没有意识到，因为他们设计中的FIFO数量的增加使他们面临着性能局限性的问题。通常，这些工程师使用来自主要供应商的工具，自动地将多FIFO映射到单个物理存储器模块中，在多个特定用户FIFO之间产生时间域复用所需的逻辑。然而，因为每个独立的FIFO端口必须一起进行复用，所以每个FIFO端口的最高工作频率与映射到设计中的FIFO的数量成反比。 |
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