首先可以把VT2作为VT1的发射极电阻来看,因为VT2是恒流源,只不过VT1和VT2用的是同一个偏置电路而已,因此VT1的基极偏置电压为Vb1=Vcc-Vcc*(R1/(R1+R2)),所以Ve1=Vb-Vbe。
把VT1作为VT2的发射集电阻来看,VT1同样为恒流源,同一个偏置电路,因此VT2基极偏置电压为Vb2= -Vcc-(-Vcc)*(R2/(R1+R2)),所以Ve2=Vb2-Vbe。
当R1=R2时,VCC=15V时,此时会使两管发射极电位偏置在6.9V即-8.1V(以VCC为参考点),调节R1和R2是可以调到终点的,此时能输出最大振幅,但我觉得没必要,简单点取R1=R2,此时已足够接近中点,确定R1 R2比值后,两电阻的具体阻值还要由电路的负载电阻,输出功率,所选三极管的hFE确定。
还有,由于电路的两个晶体管的基极连在一起,所以基极电位是相同的,输入信号在0V附近时,基极发射极之间没有电位差,固没有基极电流流动,晶体管双方都截止,直到上侧晶体管基极电位比发射极电位高0.6V之前都不倒通,下侧晶体管同理低0.6V前都不导通,所以波形有-0.6~+0.6的盲区,即交越失真。
至于在基极加电阻可以微弱导通,本人则不这么认为,不解释,我认为要想微弱导通可以在R1 R2间加两个钳位二极管,简单便宜方便,但是输出大电流时三极管会有热击穿的危险,不建议这么做,具体方法可以自己去查阅资料,不再熬述。
以上谨为本人愚见,欢迎大虾拍砖。:lol:lol
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