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求助各位前辈，关于MOS驱动开关速度（ns级宽度脉冲）

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楼主
cot45|  楼主 | 2012-7-24 13:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
开关速度, 脉冲, MOS驱动
本帖最后由 cot45 于 2012-9-18 14:05 编辑

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沙发
xygyszb| | 2012-7-24 14:06 | 只看该作者
驱动的功能是什么？

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板凳
cot45|  楼主 | 2012-7-24 14:45 | 只看该作者
2# xygyszb

栅极驱动，TTL的电平不到Vgs。驱动IC也能提供大的sink和souce电流。

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地板
MCU52| | 2012-7-24 21:15 | 只看该作者
楼主还是主要从器件上作**吧，例如选用VGS小，栅电容密勒电容小的MOS
TTL就算电压能达到驱动要求，其驱动电流的能力不足，按楼主的要求至少要上A

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5楼
cot45|  楼主 | 2012-7-25 08:39 | 只看该作者
4# MCU52

谢谢您

嗯，是的。我现在准备备用的CMOS，Qg3.3nc，Qgd和Qgs大概都在1以下（10V），但是这些MOS的开关延迟都是几ns，现在能否继续尽量减小这些延迟。
之所用驱动IC就是希望驱动IC能够提供大的驱动电流，现在的IC可以提供几A的电流。


再请教下，Vds为100V的，加100V，是不是管子工作一会儿就没了。。。。

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6楼
XZL| | 2012-7-25 09:55 | 只看该作者
是B超上用的吗？
驱动除电压要求外，输出阻抗还要小。一些专用MOS管驱动电路的输出电流都达到甚至超过1A。这样才能减小栅极电容的影响。

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7楼
cot45|  楼主 | 2012-7-25 10:30 | 只看该作者
6# XZL

嗯，时间应该通过驱动的大电流和MOS的小电容小延迟两个来共同实现吧？
能否进一步指点？谢谢:handshake

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8楼
cot45|  楼主 | 2012-7-25 16:30 | 只看该作者
继续求助

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9楼
MCU52| | 2012-7-25 21:11 | 只看该作者
5# cot45
这些是通用功率MOS的特征。还不能达到楼主的要求，至少要再减半的器件。
如果输出电流不大的话BJT到是很容易达到楼主的要求。耐压肯定要大于100V才行

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10楼
cot45|  楼主 | 2012-7-25 21:38 | 只看该作者
9# MCU52
电流要2A。
看了很多器件参数，仅仅延时就已经影响很大了。正在想其他办法。

谢谢

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11楼
cot45|  楼主 | 2012-7-25 21:39 | 只看该作者
9# MCU52


不知道有没有参数更小的MOS，考虑耐压200的话，那么栅极电荷似乎小不下去了。

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12楼
cot45|  楼主 | 2012-7-26 11:32 | 只看该作者
求助。求指点

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