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MOS工作在放大区域的条件确实比较苛刻的说。<br /><br />分结型与绝缘栅型，再分N沟道与P沟道，而绝缘栅型里面又分增强型与耗尽型，这里以N沟道为例说说工作在线性区的条件~<br /><br />1，结型N沟道（实际我理解为耗尽型）<br />特点;U[GS](off)<0<br />条件;U[GS](off)<U[GS]<0和U[GD]<U[GS](off)<br /><br />2,绝缘栅型N沟道耗尽型<br />特点;U[GS](off)<0<br />条件;<font color=#FF0000>U[GS](off)<U[GS]</font>和U[GD]<U[GS](off)<br /><br />3，绝缘栅型N沟道增强型<br />特点;U[GS](TH)>0<br />条件;<font color=#FF0000>U[GS](TH)<U[GS]</font>和U[GD]<U[GS](TH)<br /><br />
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