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IGBT驱动电路中为何在G与E间加电阻？

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sybvip|  楼主 | 2012-8-8 14:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电阻, IGBT驱动电路
IGBT驱动电路中为何在G与E间加电阻
基本上左右驱动电路里都会在G极与E极间加电阻，这个电阻是什么作用的？

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沙发
YT10L| | 2012-8-8 18:02 | 只看该作者
给结电容提供一个放电通路，提高稳定性

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板凳
xiaguoer555| | 2012-8-9 12:21 | 只看该作者
这个电阻叫栅极电阻，它影响IGBT开通和关断速度斜率的，同时取值也影响IGBT关断时所承受的 Vlotage stress。

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地板
Siderlee| | 2012-8-9 14:34 | 只看该作者
mos也有。。。。据说可以防静电。。。
还可以一定程度上缓解米勒效应。。。

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5楼
turf123| | 2012-8-9 19:47 | 只看该作者
容易烧管子

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6楼
sybvip|  楼主 | 2012-10-8 14:45 | 只看该作者
4# Siderlee

放静电和缓解米勒效应？
这个什么原理？

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7楼
trevor2011| | 2012-10-28 11:22 | 只看该作者
与MOSFET管加电阻的原理相近：
分享下MOSFET中加电阻的好处
1.是分压作用
2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止
3.防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）
4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路
5.驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用

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8楼
oneday45| | 2014-1-26 09:00 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2012-8-9 14:34
mos也有。。。。据说可以防静电。。。
还可以一定程度上缓解米勒效应。。。 ...

防静电是真，缓解米勒效应那是并电容～～～

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