“OTP是刀刻的字。FLASH是铅笔写的字”这样理解不正确。
OTP和FLASH都是浮栅管结构的存储单元，也就是说，原理上都是“浮栅”中充入电子与否来**1或0的。他们之间原理上不同的地方在于，“浮栅”中的电子，OTP是靠紫外线照射加速电子逃逸来擦除的，而Falsh是电场和隧道效应来让浮栅中电子逃逸而擦除的。
其实楼主提到的“抗干扰”和“可靠性”并不是一个简单的话题。我的观点是，各家MCU，无论是OTP还是FLASH的，都应符合它的数据手册参数，而使用者应该参照数据手册去做设计。
其实很多用户感觉到OTP和FLASH不同的主要原因在于，OTP是很多年之前的工艺，那时的工艺多采用0.9-0.7微米的线宽来制造OTP单片机，而当今的Flash单片机，大多采用0.4-0.25微米工艺来制造。不同线宽制造的CMOS器件，在电参数，对不同频段干扰的敏感度，在驱动及保护电流等参数上，必然会有较大差异，使用者也就必须注意这些差异并在PCB布线、芯片外围保护上做好必须的设计。可以这样说，你一定可以用Flash的单片机设计出和以前OTP单片机一样可靠的系统，你如果只是简单地用Flash单片机换掉OTP单片机，十有**会碰到问题。 |
楼主
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