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[AVR单片机]

大家说说OPT型单片机和FLASH型单片机的抗干扰性

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mcusimfan|  楼主 | 2009-3-25 20:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
大家说说OPT型单片机和FLASH型单片机的抗干扰性和可靠性到底怎么样?
搞了一批产品,程序存储器为FLASH的坏了不少,而以前用OTP的损坏率就很
小,这是怎么回事?排除FLASH多次擦写后失效问题

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沙发
qingfengyishi| | 2009-3-26 19:10 | 只看该作者

这个就不好说了

这个就不好说了,损坏可能是其他原因

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板凳
谈的元| | 2009-3-26 20:20 | 只看该作者

OTP是刀刻的字。FLASH是铅笔写的字

呵呵,可能不恰当

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地板
mcusimfan|  楼主 | 2009-3-29 14:13 | 只看该作者

谈的元说得很形象,

谈的元说得很形象,

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5
mxh0506| | 2009-3-29 16:29 | 只看该作者

铅笔字不刻意去擦也没那么容易掉的

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6
McuIsp| | 2009-3-29 17:41 | 只看该作者

再过2年OTP片子要退出了。

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7
highend| | 2009-4-1 16:04 | 只看该作者

MASK/ASIC依然流行...


MASK/ASIC更加普及以后,OTP确实有点悬。

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8
martin| | 2009-4-3 12:04 | 只看该作者

前面的讨论有些不对

“OTP是刀刻的字。FLASH是铅笔写的字”这样理解不正确。
OTP和FLASH都是浮栅管结构的存储单元,也就是说,原理上都是“浮栅”中充入电子与否来**1或0的。他们之间原理上不同的地方在于,“浮栅”中的电子,OTP是靠紫外线照射加速电子逃逸来擦除的,而Falsh是电场和隧道效应来让浮栅中电子逃逸而擦除的。
其实楼主提到的“抗干扰”和“可靠性”并不是一个简单的话题。我的观点是,各家MCU,无论是OTP还是FLASH的,都应符合它的数据手册参数,而使用者应该参照数据手册去做设计。
其实很多用户感觉到OTP和FLASH不同的主要原因在于,OTP是很多年之前的工艺,那时的工艺多采用0.9-0.7微米的线宽来制造OTP单片机,而当今的Flash单片机,大多采用0.4-0.25微米工艺来制造。不同线宽制造的CMOS器件,在电参数,对不同频段干扰的敏感度,在驱动及保护电流等参数上,必然会有较大差异,使用者也就必须注意这些差异并在PCB布线、芯片外围保护上做好必须的设计。可以这样说,你一定可以用Flash的单片机设计出和以前OTP单片机一样可靠的系统,你如果只是简单地用Flash单片机换掉OTP单片机,十有**会碰到问题。

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qingfengyishi| | 2009-4-5 00:01 | 只看该作者

martin 讲得不错,这方面得MASTER吧

martin 讲得不错,这方面得MASTER吧

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10
Karlshen| | 2009-11-2 22:02 | 只看该作者
损坏属意外情况吧,不能用于性能比较啊

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