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请问铁电存储器和EEPROM的问题,大侠进

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楼主
T_X_T|  楼主 | 2012-8-13 10:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
我看了铁电FM25CL64的手册好像只能用3.3V供电,但我的单片机是5V的,如果加上一个电平转换的话,是不是铁电的读写速度会大打折扣呢?????、这样的话和EEPROM还有大的差别吗

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沙发
T_X_T|  楼主 | 2012-8-13 10:50 | 只看该作者
怎么没有人回答呢

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板凳
NE5532| | 2012-8-13 11:03 | 只看该作者
单片机IO的高电平辨认范围是多少?还有铁电有5V的产品。

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地板
ayb_ice| | 2012-8-13 11:24 | 只看该作者
各自供电,IO弱上拉,可以直接相连

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5
yewuyi| | 2012-8-13 11:45 | 只看该作者
那就也选择个3.3V的MCU不就得了。。。

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6
T_X_T|  楼主 | 2012-8-14 09:42 | 只看该作者
单片机本身可以3.3V供电,只是调试器要5V的啊,不然我肯定用3.3V了 5# yewuyi

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7
zd420325| | 2012-8-14 11:55 | 只看该作者
你是说仿真吗?仿真可以用外部电源的,外部设计成3.3V 6# T_X_T

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8
3htech| | 2012-8-14 16:15 | 只看该作者
4# ayb_ice
我是小菜一枚,刚查了一下那个片子,发现其IO口输入电压极限最大值是5V,直接相连,应该会有隐患吧?

虽然用弱上拉,但终究还是上拉到5V了,时间长了,应该不行,个人觉得。

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9
ayb_ice| | 2012-8-14 16:55 | 只看该作者
4# ayb_ice
我是小菜一枚,刚查了一下那个片子,发现其IO口输入电压极限最大值是5V,直接相连,应该会有隐患吧?

虽然用弱上拉,但终究还是上拉到5V了,时间长了,应该不行,个人觉得。 ...
3htech 发表于 2012-8-14 16:15


“个人觉得”

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10
3htech| | 2012-8-14 17:10 | 只看该作者
9# ayb_ice 也许实践上能用,但是,人家极限参数是5V,为什么要用到5V?这是我不理解的地方。

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11
joyme| | 2012-8-14 17:40 | 只看该作者
为什么要用5V?是你自己提的MCU是5V的,又不想费事,所以告诉你可以直接相连,也没说让你设计过程特意这么设计,有什么不可以

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12
928315| | 2012-8-14 21:55 | 只看该作者
富士通的铁电,5V,3.3V都有,跟RAMTRON 都是完全兼容的。你换个品牌不就搞定。何必去搞电平转换这种
麻烦事情?

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13
dlyt_test001| | 2012-8-15 08:52 | 只看该作者
单片机本身可以3.3V供电,只是调试器要5V的啊,不然我肯定用3.3V了 5# yewuyi
T_X_T 发表于 2012-8-14 09:42

直连没问题,如果担心,可以在开发时用5V(也就是为连调试器)。成品后改为3.3V。
另外,要练习不用调试器啦!

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