发新帖我要提问
12下一页
返回列表
打印

mos管gs间加电容

[复制链接]
18610|32
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 08:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电容, AC, 元器件, 器件
请问大家，下图驱动mos管有没有问题，产品中这种驱动方法，有损坏的，不知道是元器件本身质量问题还是设计问题。最纠结的就是那个1uf电容是不是它造成的？驱动断不是什么方波驱动。

使用特权

评论回复 赏

相关帖子
沙发
shell.albert| | 2012-8-14 08:47 | 只看该作者
1uF的电容会影响导通和截止的速度！

使用特权

评论回复 赏
板凳
dl759| | 2012-8-14 09:04 | 只看该作者
本帖最后由 dl759 于 2012-8-14 09:10 编辑

我认为这种接法是不对的，容易损坏mos管，因为mos管工艺问题，gs上会存在一个电容，你现在又并了一个上去，输入信号由低到高时由于这个电容的存在会导致导通时间变长而损坏mos管

使用特权

评论回复 赏
地板
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 09:18 | 只看该作者
我不是平凡去开关mos管。这样也会造成损坏吗？

使用特权

评论回复 赏
5楼
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 09:20 | 只看该作者
这个是国外工程师设计的电路，我直接用来用的，没想什么后果！

使用特权

评论回复 赏
6楼
yewuyi| | 2012-8-14 09:24 | 只看该作者
我不是平凡去开关mos管。这样也会造成损坏吗？
Cary.xia 发表于 2012-8-14 09:18



即使不是频繁的开关MOS管，但DS间电流比较大的话，则也容易出事。

你可以自己做实验，把DS间的电流限制到一个很小的范围测试看。

使用特权

评论回复 赏
7楼
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 09:25 | 只看该作者
补充一点，我的电流也非常小差不多0.1mA。请各位帮忙分析下

使用特权

评论回复 赏
8楼
dl759| | 2012-8-14 09:28 | 只看该作者
lz可以做个实验，加电容与不加电容，测试一下gs的上升时间，看下差别有多大。如果ds的电流不大，这个电路也没什么问题，如果电流很大，每次导通都有mos管烧坏的风险

使用特权

评论回复 赏
9楼
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 09:31 | 只看该作者
ds导通电流很小0。1ma差不多！

使用特权

评论回复 赏
10楼
yewuyi| | 2012-8-14 09:58 | 只看该作者
ds导通电流很小0。1ma差不多！
Cary.xia 发表于 2012-8-14 09:31


不要看平均电流，看看有无大的启动电流冲击。

使用特权

评论回复 赏
11楼
batsong| | 2012-8-14 10:16 | 只看该作者
这个电容是为了软启动，如果这个mos管带电容性负载，上电冲击小一点

使用特权

评论回复 赏
12楼
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 10:38 | 只看该作者
对是为了软启动！ ！！  mos管带的是两个电阻，分别是100k，10k，电流非常小。   
所以不知道是设计问题还是元器件问题

使用特权

评论回复 赏
13楼
Cary.xia|  楼主 | 2012-8-14 10:41 | 只看该作者
其实我觉得电流这么小，有必要软启动吗？我也正纳闷。。。我觉得是延长导通时间！

使用特权

评论回复 赏
14楼
yewuyi| | 2012-8-14 10:47 | 只看该作者
虽然可以一定程度上降低DS间的冲击电流，但造成的后果就是在MOS管上的功率损耗加大，并造成开关相位延迟。

MOS管尽量让它做开关管，尽量让它的开关特性陡一点，如果想软启动的话，可以在门极上通过调整PWM频率来实现不是更好吗？

既然谈到了软启动，那么你的DS上负载就不是纯阻性的了，不管是感性还是容性，在较大的冲击电流下，因为这个电容的存在，启动时的MOS自身功率损耗应该还是比较大的，如果瞬间较大超标的话，烧坏MOS也是正常的吧。

使用特权

评论回复 赏
15楼
xxlin1984| | 2012-8-14 13:27 | 只看该作者
0.1mA需要软启动？求解释....

使用特权

评论回复 赏
16楼
yewuyi| | 2012-8-14 13:42 | 只看该作者
0.1mA需要软启动？求解释....
xxlin1984 发表于 2012-8-14 13:27


这可能是LZ自己认为的。

使用特权

评论回复 赏
17楼
YDCMAN| | 2012-8-14 14:55 | 只看该作者
个人觉得：
1.为了克服米勒效应才加
2.软启动

使用特权

评论回复 赏
18楼
cgkdxx| | 2012-8-14 18:38 | 只看该作者
那个电容不会到UF，一般千P上下。为了开通沿好一些

使用特权

评论回复 赏
19楼
mylive| | 2012-8-15 00:12 | 只看该作者
这样做是做不到软启动的！
10K的电阻串在G级？？这是非常不合理的设计！
MOS管本身的输入电容是几千pF，你并个电容在这里其实没什么用，我做过实验。
10K电阻在这会严重影响栅极波形！去掉吧。换个10欧姆试试。
如果你要缓启动你要用其它办法，这个电路是行不通的，不要想当然，实验才是硬道理。

使用特权

评论回复 赏
20楼
nongfuxu| | 2012-8-15 08:59 | 只看该作者
1uf电容

哪个国家的2货电工？

使用特权

评论回复 赏
下一页 »
12下一页
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

Cary.xia

40

主题

134

帖子

0

粉丝