mos管gs间加电容

登录 · 发表于 2012-8-14 08:43

请问大家，下图驱动mos管有没有问题，产品中这种驱动方法，有损坏的，不知道是元器件本身质量问题还是设计问题。最纠结的就是那个1uf电容是不是它造成的？驱动断不是什么方波驱动。

发表于 2012-8-14 08:47

1uF的电容会影响导通和截止的速度！

发表于 2012-8-14 09:04

本帖最后由 dl759 于 2012-8-14 09:10 编辑

我认为这种接法是不对的，容易损坏mos管，因为mos管工艺问题，gs上会存在一个电容，你现在又并了一个上去，输入信号由低到高时由于这个电容的存在会导致导通时间变长而损坏mos管

发表于 2012-8-14 09:18

我不是平凡去开关mos管。这样也会造成损坏吗？

发表于 2012-8-14 09:20

这个是国外工程师设计的电路，我直接用来用的，没想什么后果！

发表于 2012-8-14 09:24

我不是平凡去开关mos管。这样也会造成损坏吗？
Cary.xia 发表于 2012-8-14 09:18

即使不是频繁的开关MOS管，但DS间电流比较大的话，则也容易出事。

你可以自己做实验，把DS间的电流限制到一个很小的范围测试看。

发表于 2012-8-14 09:25

补充一点，我的电流也非常小差不多0.1mA。请各位帮忙分析下

发表于 2012-8-14 09:28

lz可以做个实验，加电容与不加电容，测试一下gs的上升时间，看下差别有多大。如果ds的电流不大，这个电路也没什么问题，如果电流很大，每次导通都有mos管烧坏的风险

发表于 2012-8-14 09:31

ds导通电流很小0。1ma差不多！

发表于 2012-8-14 09:58

ds导通电流很小0。1ma差不多！
Cary.xia 发表于 2012-8-14 09:31

不要看平均电流，看看有无大的启动电流冲击。

发表于 2012-8-14 10:16

这个电容是为了软启动，如果这个mos管带电容性负载，上电冲击小一点

发表于 2012-8-14 10:38

对是为了软启动！！！ mos管带的是两个电阻，分别是100k，10k，电流非常小。
所以不知道是设计问题还是元器件问题

发表于 2012-8-14 10:41

其实我觉得电流这么小，有必要软启动吗？我也正纳闷。。。我觉得是延长导通时间！

发表于 2012-8-14 10:47

虽然可以一定程度上降低DS间的冲击电流，但造成的后果就是在MOS管上的功率损耗加大，并造成开关相位延迟。

MOS管尽量让它做开关管，尽量让它的开关特性陡一点，如果想软启动的话，可以在门极上通过调整PWM频率来实现不是更好吗？

既然谈到了软启动，那么你的DS上负载就不是纯阻性的了，不管是感性还是容性，在较大的冲击电流下，因为这个电容的存在，启动时的MOS自身功率损耗应该还是比较大的，如果瞬间较大超标的话，烧坏MOS也是正常的吧。

发表于 2012-8-14 13:27

0.1mA需要软启动？求解释....

发表于 2012-8-14 13:42

0.1mA需要软启动？求解释....
xxlin1984 发表于 2012-8-14 13:27

这可能是LZ自己认为的。

发表于 2012-8-14 14:55

个人觉得：
1.为了克服米勒效应才加
2.软启动

发表于 2012-8-14 18:38

那个电容不会到UF，一般千P上下。为了开通沿好一些

发表于 2012-8-15 00:12

这样做是做不到软启动的！
10K的电阻串在G级？？这是非常不合理的设计！
MOS管本身的输入电容是几千pF，你并个电容在这里其实没什么用，我做过实验。
10K电阻在这会严重影响栅极波形！去掉吧。换个10欧姆试试。
如果你要缓启动你要用其它办法，这个电路是行不通的，不要想当然，实验才是硬道理。

发表于 2012-8-15 08:59

1uf电容

哪个国家的2货电工？

mos管gs间加电容

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