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求教可控硅吸收电路工程计算方式

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沙发
yewuyi| | 2009-1-6 22:38 | 只看该作者

公式主要就是计算RC时间常数拉

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板凳
xh0821| | 2009-1-15 18:36 | 只看该作者

回复二楼的

楼上的怎么也不回答清楚点哪,
/。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
/公式主要就是计算RC时间常数拉
/。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
RC时间常数要根据什么时间来选定呢?交流的周期?
还有R的取值不是是也根负载大小有关系?

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地板
NE5532|  楼主 | 2009-1-16 21:48 | 只看该作者

呵呵,我倒是搞懂一些了。

是反激电动势高度和开通瞬态电流的博弈。

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yong393710948| | 2013-9-6 15:23 | 只看该作者
版主说得这么高深

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6
木糖醇加可乐| | 2014-4-29 21:14 | 只看该作者
C=(2.5-5倍)×10的负8次方×IF
1F=1000Uf 1Uf=1000nF 1Nf=1000pf
If=0.367Id
Id-直流电流值

如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算
C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5F 选用2.5F,1kv 的电容器
电阻的选择:
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
为什么百度出来都是这个答案,谁能站出来具体讲一下什么意思?

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MR4| | 2014-5-5 22:16 | 只看该作者
还有一种,不知道是否有效
检测负载温度,改变RC值,计算零点差

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zwm2011| | 2014-5-5 22:23 | 只看该作者
这个期待高人详解!!!可控硅的RC吸收电路,我个任认为,要根据负载和电网环境定;不然设计的参数会不合理

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manbo789| | 2014-5-6 11:14 | 只看该作者
我一般设计成茹贝尔网络的形式,茹贝尔网络有现成的公式,

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