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MOS管,光耦

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12089044|  楼主 | 2012-8-21 14:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FPGA IO口出来接光耦,再接MOS管,再接继电器,有位大大能不能在光耦和MOS管的选型上指导我一下

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沙发
wjzx111056| | 2012-8-21 20:42 | 只看该作者
光耦的选型:光耦的速率和驱动电流。光耦的速率参数取决于应用的场合;而光耦的驱动电流一般2~20mA就可以了,光耦中给出的前向电流(IF)参数最大值一般在50mA。
光耦除了速率以后,还有三大重大指标:
    1、CTR:电流传输比,即发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值;
    2、Isolation Voltage:隔离电压,即发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值;
    3、Collector-Emitter Voltage:集电极-发射极电压,即集电极-发射极之间的耐压值的最小值;

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板凳
wjzx111056| | 2012-8-21 20:46 | 只看该作者
光耦另外注意:1.封装正确,本体MARK字迹要清晰,品牌正确,与技术规格书一致;替代时,如都为标准件封装,基本上装配没有问题,但需注意厚度是否与原料相同,是否满足整机的工艺要求。
     2.产品工作频率,RL选取阻值务必在带宽内,且考虑IF电流大小,VCE工作压降;
     3.选取合适的IF电流,使输入控制电流的变动都能及时反馈到输出端,保证产品反馈环的稳定;
     4:Vce在电路应用中,保证设计有一定的电压值,否则Ic将较小,CTR将较小,一般设计Vc应大于3V。
     5:在设计选型时,要了解光耦在信号传输时,有时间的延迟问题,因此选型根据产品的工作频率来选定不同传输速率的光耦,部分可通过调整电阻来改变频率响应;
     6.在设计选型时,需选取Icbo小的光耦,电路中取合适RL,否则后续控制电路有可能错误导通;

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地板
wjzx111056| | 2012-8-21 20:49 | 只看该作者
Mos管的选型注意是考虑其漏极的电流大小、GS的控制电压,已经Mos管的响应速度等参数即可了!

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12089044|  楼主 | 2012-8-22 09:07 | 只看该作者
谢谢啊 4# wjzx111056

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