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内部EEPROM的寿命太短怎么办

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楼主
jinpaidianzi|  楼主 | 2012-8-24 20:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, 芯片, flash, 模拟
CY8C24423的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次，竟然是10次，这么少，大家有方法应对吗？

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沙发
jinpaidianzi|  楼主 | 2012-8-24 20:23 | 只看该作者
最要命的是还是在室温条件下

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板凳
acer4736| | 2012-8-24 20:33 | 只看该作者
解决问题的难点:校正温度传感器误差不现实,生产量太大使用外部温度传感器也不可能,成本太高

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地板
gexingyouxian| | 2012-8-24 22:22 | 只看该作者
一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

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5楼
yangguangaisha| | 2012-8-24 22:31 | 只看该作者
尽管按楼上可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。因此只适合个别的，如只放一个固定的表格，或不会“频繁”操作使用的情况。

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6楼
G21372| | 2012-8-24 22:39 | 只看该作者
我的理解:温度设置正确的时候寿命的确很长.但是温度不正确的时候(误差20度)寿命太短.

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7楼
u880| | 2012-8-24 22:44 | 只看该作者
在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，

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8楼
huigoushang| | 2012-8-24 22:48 | 只看该作者
问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性

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9楼
supreme42| | 2012-8-25 11:29 | 只看该作者
不可能10回吧，有这么挫的芯片？一般EEPROM都能10万回以上的。

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10楼
Go_PSoC| | 2012-8-27 18:52 | 只看该作者
楼主看错了吧

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11楼
sishangcine| | 2012-8-27 22:58 | 只看该作者
十次不太可能吧，这么少谁都不会接受的。

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12楼
zgsxhzac| | 2012-8-27 23:13 | 只看该作者
:L 肯定是看错了

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13楼
shibalihuandao| | 2012-8-27 23:15 | 只看该作者
还是都回去看看datasheet再回来讨论吧

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14楼
meishizhaoshi| | 2012-8-27 23:20 | 只看该作者
晕，竟然没有搜到，看来不能在这随便说话了。

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