问题：我拿到一个NMOS管，只知道其开启电压VT（假设其他耐压什么的都满足要求），却没有其各种特性曲线。然后只知道一个VCC供电电压，这样能设计一个满足要求的共源放大器吗？
设计好一个共源放大器，最重要的就是直流偏置，将VDS偏置在0.5VCC比较好，但是这个步骤是怎么来的？我自己现在就是这样设计的：
第一步：电源电压为10V，管子为IRF840,它的开启电压为VT=3.879V（手头没有小功率MOS管），设计放大5倍的共源放大器，负载为1000K。电路图如下：
第二步：因为我不知道VDS=0.5VCC时，VD的电压是多少，所以先假设VD=0.5vcc=5V(总接近的)，那么取偏置电流为1mA，那么RD=5K，那么RS=1k，
VS=1V
第三步：确定栅极偏置电压：令VG=VS+Vt=4.879V,选择R3=51.2K,R4=48.8K，仿真，直流工作点如图：
第四步：可以发现基本符合理论计算，但是问题是VDS还没在0.5VCC处，所以调节R4的值，直到VDS=5V。
结论：尽管貌似设计出符合要求的放大器，但是感觉还是不清晰，特别是令VG=VS+VT有什么依据，有没有步骤能跳过第四步的，直接偏置到0.5VCC的？ |
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