5MHZ开关电路请教

登录 · 发表于 2012-9-10 15:22

一个简单的开关电路，下图电路和芯片的资料。测试发现，频率几百K的时候开关正常，达到5M的时候就全是低电平了（中间的频率状态没测）。请教为什么？

发表于 2012-9-12 20:45

话说，三极管还来不及关断

1k的上拉电阻，100ns的时间能给三极管结电容冲多么点电啊....
话说，前端的5m是怎么产生的？你确定那个5m能用？

发表于 2012-9-12 23:17

5M够呛，但是你可以在R44上并联一个加速电容，能提高一下速度，。。。

发表于 2012-9-13 12:47

要避免三极管进入深度饱和区，否则饱和退出时间太大决定了一直是低电平。

发表于 2012-9-13 17:57

我在multisim里找到BFS19，试了下，能到10MHz的，就是波形不够完美。
MOSFET应该不行吧，寄生电容比bipolar transistor大很多，
要是MOSFET能，那开关电源岂不是能做到10MHz了，我这么想对么？

发表于 2012-9-13 20:33

我在multisim里找到BFS19，试了下，能到10MHz的，就是波形不够完美。
MOSFET应该不行吧，寄生电容比bipolar transistor大很多，
要是MOSFET能，那开关电源岂不是能做到10MHz了，我这么想对么？ ...
GavinZ 发表于 2012-9-13 17:57

开关电源不仅仅是MOSFET开关速度的事

发表于 2012-9-13 22:04

7# flttxlj
咱要是先不考虑“别的事儿”，仅针对开关管的速率这个事儿，你认为我的说法对么？

发表于 2012-9-18 10:23

6# GavinZ

能告诉我是怎么达到的吗？我更改了一些电阻电容的配比，但是波形出来一点，幅度不够，

发表于 2012-9-18 10:52

R44、R51改成100欧。Q2基极接一个220欧的电阻到地（GND）。

发表于 2012-9-18 13:09

R44、R51改成100欧。Q2基极接一个220欧的电阻到地（GND）。
xmar 发表于 2012-9-18 10:52

你的这种改法，得需要很大的电流，这个不现实，对吧。
很多数字器件输出TTL或CMOS波形都能到几百兆，所以，我按照这个逻辑猜测，用独立的晶体管制作电路虽然达不到那么高，但也不会太慢。

登录 · 发表于 2012-9-18 13:57

6# GavinZ

能告诉我是怎么达到的吗？我更改了一些电阻电容的配比，但是波形出来一点，幅度不够，
andiwxz 发表于 2012-9-18 10:23

那天没存档，我又重新画了一遍，multisim12里没有你那个晶体管的model，
所以我就找了个字面上相似的，这个电路是我乱搞的，请更有能力的战友再改进一下，
比如那个下降沿时产生的overshoot等。

发表于 2012-9-18 14:04

我弄的这个电路是3.3V family，别的电压按比例改一下电阻就行了。
这里有个“狗屎运”的想法，就是那个二极管的加入，我也不知道怎么想到的，
当时就是想让晶体管的寄生电容快速充电和放电，就加了个二极管，
这个举动使得这个电路的速度得到了质的飞跃。
我发现一个规律，越是菜鸟越有创造性。

发表于 2012-9-18 14:22

13# GavinZ
接地电阻，二极管。都是加快开关速度的

发表于 2012-9-18 14:30

13# GavinZ
接地电阻，二极管。都是加快开关速度的
cot45 发表于 2012-9-18 14:22

那么，它们是如何做到的呢？

发表于 2012-9-18 21:03

R44上并47P电容，基极对地下拉1K电阻。如果BJT不是专用的开关管，集电极电阻要低。
它的大小直接影响了输出压摆率。
对于开关电路，BJT的结电容不是最重要的。高速的开关电路要用专用的开关管。

发表于 2012-9-18 22:15

15# GavinZ

电容是在信号上升和下降时电阻R6被旁路，截止时加速取出基极电子。
D1A是肖特基箍位，那个管子开关速度快，压降小，流过晶体管的大部分基极电流被它旁路，晶体管的导通状态接近截止。
接地电阻是为了让开路时让晶体管截止。不过好像MOS开关里就加接地电阻加快开关（这点我不确定）

晶体管电路设计里的东西。以前看过。

发表于 2012-9-19 13:38

增大R6阻值或减小R7的阻值，其目的都是为了减少三极管的基极电流Ib，使三极管工作于浅饱和状态。此状态比深度饱和的三极管速度要快得多！

发表于 2012-9-20 00:37

Q2基极接一个电阻到地

发表于 2012-9-27 20:56

看晶体管电路设计的书吧

你这电路太初级...小日本写的书

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