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5MHZ开关电路请教

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andiwxz|  楼主 | 2012-9-10 15:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
一个简单的开关电路,下图电路和芯片的资料。测试发现,频率几百K的时候开关正常,达到5M的时候就全是低电平了(中间的频率状态没测)。请教为什么?

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沙发
雨雪随行| | 2012-9-12 20:45 | 只看该作者
话说,三极管还来不及关断

1k的上拉电阻,100ns的时间能给三极管结电容冲多么点电啊....
话说,前端的5m是怎么产生的?你确定那个5m能用?

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板凳
andyjian| | 2012-9-12 23:17 | 只看该作者
5M够呛,但是你可以在R44上并联一个加速电容,能提高一下速度,。。。

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地板
gx_huang| | 2012-9-13 12:47 | 只看该作者
要避免三极管进入深度饱和区,否则饱和退出时间太大决定了一直是低电平。

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5
GavinZ| | 2012-9-13 17:57 | 只看该作者
我在multisim里找到BFS19,试了下,能到10MHz的,就是波形不够完美。
MOSFET应该不行吧,寄生电容比bipolar transistor大很多,
要是MOSFET能,那开关电源岂不是能做到10MHz了,我这么想对么?

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6
flttxlj| | 2012-9-13 20:33 | 只看该作者
我在multisim里找到BFS19,试了下,能到10MHz的,就是波形不够完美。
MOSFET应该不行吧,寄生电容比bipolar transistor大很多,
要是MOSFET能,那开关电源岂不是能做到10MHz了,我这么想对么? ...
GavinZ 发表于 2012-9-13 17:57

开关电源不仅仅是MOSFET开关速度的事

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7
GavinZ| | 2012-9-13 22:04 | 只看该作者
7# flttxlj
咱要是先不考虑“别的事儿”,仅针对开关管的速率这个事儿,你认为我的说法对么?

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8
andiwxz|  楼主 | 2012-9-18 10:23 | 只看该作者
6# GavinZ

能告诉我是怎么达到的吗?我更改了一些电阻电容的配比,但是波形出来一点,幅度不够,

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9
xmar| | 2012-9-18 10:52 | 只看该作者
R44、R51改成100欧。Q2基极接一个220欧的电阻到地(GND)。

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10
GavinZ| | 2012-9-18 13:09 | 只看该作者
R44、R51改成100欧。Q2基极接一个220欧的电阻到地(GND)。
xmar 发表于 2012-9-18 10:52
你的这种改法,得需要很大的电流,这个不现实,对吧。
很多数字器件输出TTL或CMOS波形都能到几百兆,所以,我按照这个逻辑猜测,用独立的晶体管制作电路虽然达不到那么高,但也不会太慢。

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11
GavinZ| | 2012-9-18 13:57 | 只看该作者
6# GavinZ

能告诉我是怎么达到的吗?我更改了一些电阻电容的配比,但是波形出来一点,幅度不够,
andiwxz 发表于 2012-9-18 10:23

那天没存档,我又重新画了一遍,multisim12里没有你那个晶体管的model,
所以我就找了个字面上相似的,这个电路是我乱搞的,请更有能力的战友再改进一下,
比如那个下降沿时产生的overshoot等。


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12
GavinZ| | 2012-9-18 14:04 | 只看该作者
我弄的这个电路是3.3V family,别的电压按比例改一下电阻就行了。
这里有个“狗屎运”的想法,就是那个二极管的加入,我也不知道怎么想到的,
当时就是想让晶体管的寄生电容快速充电和放电,就加了个二极管,
这个举动使得这个电路的速度得到了质的飞跃。
我发现一个规律,越是菜鸟越有创造性。

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13
cot45| | 2012-9-18 14:22 | 只看该作者
13# GavinZ
接地电阻,二极管。都是加快开关速度的

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14
GavinZ| | 2012-9-18 14:30 | 只看该作者
13# GavinZ
接地电阻,二极管。都是加快开关速度的
cot45 发表于 2012-9-18 14:22
那么,它们是如何做到的呢?

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15
MCU52| | 2012-9-18 21:03 | 只看该作者
R44上并47P电容,基极对地下拉1K电阻。如果BJT不是专用的开关管,集电极电阻要低。
它的大小直接影响了输出压摆率。
对于开关电路,BJT的结电容不是最重要的。高速的开关电路要用专用的开关管。

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16
cot45| | 2012-9-18 22:15 | 只看该作者
15# GavinZ

电容是在信号上升和下降时电阻R6被旁路,截止时加速取出基极电子。
D1A是肖特基箍位,那个管子开关速度快,压降小,流过晶体管的大部分基极电流被它旁路,晶体管的导通状态接近截止。
接地电阻是为了让开路时让晶体管截止。不过好像MOS开关里就加接地电阻加快开关(这点我不确定)

晶体管电路设计里的东西。以前看过。

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17
xmar| | 2012-9-19 13:38 | 只看该作者
增大R6阻值或减小R7的阻值,其目的都是为了减少三极管的基极电流Ib,使三极管工作于浅饱和状态。此状态比深度饱和的三极管速度要快得多!

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18
xuxikfg| | 2012-9-20 00:37 | 只看该作者
Q2基极接一个电阻到地

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19
icecut| | 2012-9-27 20:56 | 只看该作者
看 晶体管电路设计的书吧

你这电路太初级...小日本写的书

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