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如何合理安排去耦电容

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summerlover|  楼主 | 2012-9-17 22:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
合理设置去耦电容:
1 印制板上集成电路电源和地之间应加0.1uF的去偶电容。去偶电容应尽量靠近集
成电路,去偶电容与集成电路电源和地间的连线应直接连接。去偶电容应作为集成电路电源
和地与印制板上电源网络和地线网络的连接点。
2 在电源进入印制板的地方并联一个1uF或10uF的去高频电容往往是有利的,即使
是用电磁供电的系统也需要这种电容。每10片左右的集成电路要加一片充放电容,电容大小
可选10uF。最好不用电解电容,而用钽电容或聚碳酸酯电容。
3 去耦电容值的选取并不严格,可按C=1/f计算,即10MHz取0.1uF。对微控制器构
成的系统,取0.1-0.01uF都可以。去耦电容的一般配置原则是:
1) 电源输入端跨接10-100uF的电解电容器,如有可能,接100uF以上的更好。
2) 原则上每个集成电路芯片都应该布置一个0.01pF的瓷片电容,如遇印制板空隙
不够,可每4-8个芯片布置一个1-10pF的钽电容。
3) 对于抗噪能力弱和关断时电源变化大的器件,如RAM、ROM存储器件,应在芯片
的电源线和地线之间直接接入去耦电容。
4) 电容引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线。

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