MOS管开通关断的问题

登录 · 发表于 2012-9-20 12:22

本帖最后由 justloong 于 2012-9-20 12:26 编辑

MOS管开通正常，关断缓慢是什么原因，电路如图

黄色信号线是test1 测试点，蓝色的是test2 测试点，MOS管的驱动用的隔离的电源。
开通是正常的，但关断下降到基本上是黄色信号线的峰值时，就开始缓慢下降。
请了解的帮忙解释下，如何解决。

发表于 2012-9-20 19:35

这问题是由驱动电路造成的.
蓝色的 test2 测试信号有问题. 下降沿没有快速地回复到地.
特意找来TLP250 的手册看了一下.
选型没有问题, 这个器件控制 MOSFET 应该不会有什么问题.
楼主的问题估计就在 R36 上面. 太大. 考虑取 30欧姆试试. 根据测试效果再做调整

发表于 2012-9-21 08:59

2# airwill
谢谢你的回复。

我一开始也考虑到是R36的问题，但我后来直接把它拿掉，然后TLP250的输出不接MOS管的G极，我直接测MOS管的信号，发现是完整的矩形信号，上升和下降都是每延迟的，就是接到G极后就会有一段延迟

发表于 2012-9-22 09:32

抱歉, 我看错了你的图纸了. 图上 TLP250 画反过来了. TLP250 的电路没有问题. 510 也不能改小. 20R 的驱动电阻差不多了. 这个延迟应该是 TLP250 的驱动能力不足导致的.
可以考虑中间用功率三极管对或MOSFET 增加驱动能力.

发表于 2012-9-22 11:16

本帖最后由 zhang_2000 于 2012-9-22 11:17 编辑

C15拿掉
R35 并联一个泄流二极管 IN4148/IN4448

发表于 2012-9-28 11:54

5# zhang_2000 我现在的改进方法就是这样的，但感觉效果不是很明显

发表于 2012-9-28 14:39

MOS管的驱动问题！
虽然MOS管得输入阻抗很高，但是输入门极电容很大，在高速开关时，必须在门极加很强的驱动才能改善电容的影响。

发表于 2012-10-10 20:09

MOSFET 有很大的电容

发表于 2012-10-26 16:49

在MOS管的G端和地串一个10K的电阻就可以

发表于 2012-12-7 19:06

充电电流采样接法有问题

发表于 2013-5-2 14:09

电路图不完整，可能和你的光耦供电有关，
1：你可要看到控制电路的示波器图，20V，降到10都很快，10V到0V就很慢，而恰巧这个时间是MOS管关闭的电压。
2：和ZD1，ZD2有关，去掉ZD1，ZD2估计就正常了。

发表于 2013-5-2 14:30

想明白了。是因为ZD1，ZD2的关系，因为管子没关闭，电压通过ZD1返回到控制电路，导致关断慢。

发表于 2013-5-2 15:18

还有MOS_gnd ,source_gnd,有点压差，导致MOS管关闭有问题。

发表于 2014-1-2 10:23

ZD1和ZD2也不能去掉，这两颗是用来做静电保护用的。没有这两颗管子，MOS很容易坏。

发表于 2014-1-23 22:59

我也遇到过这样的问题，当时用的是TL494前级驱动，当时我的好象是驱动电压有点问题，记不太清了，但是波形和你的是一样的，MOS不能完全关断，当时只是做着玩的，没有记录。

发表于 2014-1-27 22:40

netjob 发表于 2012-10-26 23:08
N MOS管最好是在地端接S, PMOS就用在D接VCC
楼主的情况是发过来使用。该用P MOS的地方用了 N MOS.

应该是PMOS就用在S接VCC

MOS管开通关断的问题

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