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请教:DC300V的H桥,只通断切换不调速,例图可以用吗?

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楼主
dxm123|  楼主 | 2012-9-22 22:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 dxm123 于 2012-9-23 11:51 编辑

我在设计一个H桥电路的时候,遇到几个问题,拿不定主意,有熟悉这方面的朋友给讲讲吗?电路大致情况是这样的。
1.H桥驱动一个电磁线圈,通过两个开关控制根据需要实现电磁线圈,正反向通电。
2.电磁线圈的供电电压是直流300v,工作电流2-3A,瞬间上电电流5A左右。工作时间很短,每次1-2秒,就断开。
3.我原打算 ,用P型和N型场效应管搭个H桥来做的,后来发现很难找到高耐压,大电流的p-mos管。没法就放弃了这个思路。
4.现在我打算用以下电路来做来做(图来自网络),驱动管换成大功率的,可以驱动起来吗,会不会发热很严重啊!

5.电磁线圈属于感性负载,反感电动势很大,切断供电后的反感电动势产生的电压很高,用压敏电阻,电阻串联电容并在电感线圈两端来消除这个感生电压,这样可行吗,参数要如何选择呢?
有熟悉的朋友给点儿意见,谢谢了!

相关帖子

沙发
zjp8683463| | 2012-9-22 22:15 | 只看该作者
用4个Nmos来做,续流二极管都可以省掉.

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板凳
dxm123|  楼主 | 2012-9-22 22:18 | 只看该作者
2# zjp8683463
谢谢你,请问还是上面的图,把4个大功率的NPN三极管换成N-MOS,取消接在e极的二极管,就可以了吗!

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地板
zhang123| | 2012-9-22 23:31 | 只看该作者
PMos 别放弃

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dxm123|  楼主 | 2012-9-22 23:43 | 只看该作者
4# zhang123
DC300V的高压,3A工作电流,好像很难选到一款合适的P-MOS,很害怕烧掉。
只有N-MOS有高压大电流的。

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dxm123|  楼主 | 2012-9-23 23:41 | 只看该作者
请教前辈大师给予指点!谢谢了!

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7
dxm123|  楼主 | 2012-9-26 13:04 | 只看该作者
定一下,等大师出现!

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dxm123|  楼主 | 2012-10-18 00:19 | 只看该作者
请求帮助!

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dxm123|  楼主 | 2013-1-3 21:02 | 只看该作者
用两个IR2103专用桥驱动+IGBT解决了!

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huoyu2779| | 2013-1-4 12:37 | 只看该作者
本帖最后由 huoyu2779 于 2013-1-4 12:43 编辑

选500V上下6A以上的N沟道的MOS来做,型号有很多,MOS内部一般都带有续流二极管,可以有效吸收电感电压。你给的图是采用负电压驱动,用N-MOS可以采用正电压驱动,注意上下桥臂的死区时间就可以,电路很简单,如要工作时间长或频繁启动的话,要加散热片哟。
汗!看错了,你发的图是24V直流电的,你要用在300V是一定炸机,这个图在两个上桥为低时自动锁死两个下桥,使上下桥臂避免直通现象。
如你用300V直流则此电路不能采用,300V的脉冲你哪找去呀!!需要做4路隔离的驱动才可以。

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11
fight281| | 2020-10-17 10:36 | 只看该作者
dxm123 发表于 2013-1-3 21:02
用两个IR2103专用桥驱动+IGBT解决了!

可以分享一下吗?

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12
戈卫东| | 2020-10-17 12:57 | 只看该作者
fight281 发表于 2020-10-17 10:36
可以分享一下吗?

ON时间只需要2秒,可以用自举供电的。
那么用两组半桥驱动IC+高压MOS管/IGBT就可以了。

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13
fight281| | 2020-10-19 14:21 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2020-10-17 12:57
ON时间只需要2秒,可以用自举供电的。
那么用两组半桥驱动IC+高压MOS管/IGBT就可以了。 ...



半桥驱动IC是哪个型号,我现在用2117驱动不起来。不太明白那个GDN到VS的二极管的作用。


请问这个可以实现开闭吗?

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戈卫东 2020-10-19 15:45 回复TA
这个电路适合有一定频率的脉冲,频率不能太低,更不能做静态开关。 
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fight281| | 2020-10-19 14:23 | 只看该作者
本帖最后由 fight281 于 2020-10-19 14:47 编辑
戈卫东 发表于 2020-10-17 12:57
ON时间只需要2秒,可以用自举供电的。
那么用两组半桥驱动IC+高压MOS管/IGBT就可以了。 ...


这样行不行?能解答一下吗?谢谢。

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fight281 2020-10-21 12:25 回复TA
@戈卫东 :谢谢!可以帮我看一下吗?https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=viewthread&tid=3039172&page=1&extra=#pid11562416 
戈卫东 2020-10-20 09:54 回复TA
@fight281 :一般尽量避免用隔离的电源。高边的开关如果可能就用自举供电,但自举供电是有限制的,它不能达到100%的占空比。 
fight281 2020-10-20 09:15 回复TA
@戈卫东 :谢谢!请问在实际中哪种用的比较多呢? 
戈卫东 2020-10-20 08:44 回复TA
@fight281 :那样控制电路的地是随开关摆动的,并且需要隔离的电源供应。这些如果没有问题是可以用的。 
fight281 2020-10-19 22:44 回复TA
@戈卫东 :十分感谢!如果上述电路采用高边驱动可以吗?负载放在下面,GND接MOS管的源极。这样会不会有危险? 
戈卫东 2020-10-19 15:46 回复TA
选取了适当的电阻值,这个做负极端的开关是没有问题的。 
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