F3 首测: 今天跑到了128Mhz

1万 · 2012-9-23 15:33

本帖最后由 airwill 于 2012-9-23 15:35 编辑

测试了一段时间, 发现还是比较稳定的.
郁闷的事情, 我明明外部晶振装了个 12MHz. 上板后发现运转的指示灯闪烁频率不对, 用软件测试后发现, 这个晶振居然跑在 8MHz 上. 这是个几年前用在 51 上的晶振哪, 竟然变频了, 惊奇!
本来用 12MHz 是想进一步再往上超的. 毕竟 128MHz 不是个令人激动的值
现在没辙了, 128MHz 是能设置的最高值了!
哦, 忘了说明, 测试条件是在 CCM RAM 里执行代码.
简单的测试代码下, CCM RAM 的代码速度约是在 RAM 里的速度快一半.

只看该作者 · 2012-9-23 19:17

:-)
F4的CCM在D-BUS上面，
F3的CCM在I-BUS上面。

不知道这样安排是何意。

只看该作者 · 2012-9-23 22:58

期待更多的测试结果

只看该作者 · 2012-9-23 23:16

下一步准备测什么？

只看该作者 · 2012-9-24 09:01

地板: 哪来这么背的晶振? 按照晶振的特性, 频率是由切割工艺保证的, 不应该变频的
再验证一下, 新器件, 是不是内部的设置有不同了

只看该作者 · 2012-9-24 09:11

为什么会出现这种情况呢？

1万 · 2012-9-24 10:28

谢谢LZ的测试，还是RAM速度快。看样子F303的CCM RAM能超频到 144MHz，即72M的翻倍，可惜CCM RAM只有几kB，只能跑些关键的代码，即使如此，[超频的情况下]性能提升应该比较明显。

F303类似F1也是个超频王。

1万 · 2012-9-24 10:31

:-)
F4的CCM在D-BUS上面，
F3的CCM在I-BUS上面。

不知道这样安排是何意。
aozima 发表于 2012-9-23 19:17

应该不难理解，
F4的CCM在D-BUS上面，主要用于存数据
F3的CCM在I-BUS上面，主要用于跑代码。

1万 · 2012-9-24 10:32

地板: 哪来这么背的晶振? 按照晶振的特性, 频率是由切割工艺保证的, 不应该变频的
再验证一下, 新器件, 是不是内部的设置有不同了
acgean 发表于 2012-9-24 09:01

是比较奇怪。
估计主要是电压和驱动力不同造成的。

只看该作者 · 2012-9-24 10:37

应该不难理解，
F4的CCM在D-BUS上面，主要用于存数据
F3的CCM在I-BUS上面，主要用于跑代码。
IJK 发表于 2012-9-24 10:31

这个是肯定，但为什么各自侧重点不同？
或是因为F4的FLASH跑得比较快，所以主要优化数据。
F3主要侧重模拟功能，所以主频不高，FLASH也并没有采用F4的技术。
所以主频较低，于是使用CCM来搞性能？

只看该作者 · 2012-9-24 10:38

是比较奇怪。
估计主要是电压和驱动力不同造成的。
IJK 发表于 2012-9-24 10:32

能把8M变12M？还是个整数？

只看该作者 · 2012-9-26 11:43

我也碰到过2MHz的晶振,有时会变成1MHz.

只看该作者 · 2012-9-26 13:40

F3还不如F4来的实惠

只看该作者 · 2012-9-26 23:38

F3很给力

1万 · 2012-10-3 08:44

本帖最后由 airwill 于 2012-10-3 08:48 编辑

F3 令人奇怪的外设地址设置!
M4 的外设地址定义在 0x40000000 开始的地方. 在此地址起的 1M 空间提供 Bitband, 然而奇怪的是, 最常会使用 Bitband 的 GPIO 端口操作, 却设置到了 0x48000000 起的地址, 竟然排除在 Bitband 的区域之外!
反正, 外设的 Bitband 本人仅仅在 GPIO 的读写操作中使用过.
真不知道 ST 公司对于这个安排, 到底是怎么考虑的. 令人郁闷!