我现在用TMS320F240来做开发,在看资料的中间有一些疑问:
我参考了TMS320F240的DEMO板电路.扩展了两个128K*8的SRAM.内存分配为:
1:64K words external program memory
2: 32K words external local data memory
3: 32K words external global data memory
我的第一个问题是:为什么data memory还分local data memory和global data memory?两者有何区别?
第二:如果我把CPU设置成microprocessor,即MP/MC=1.由于扩展的内存为SRAM,掉电即没.那我的程序代码应下载到哪里?若设置MP/MC=0.那有可能代码量会超过CPU内部的FLASH容量,此时的处理方法要么是换大容量的CPU.要么可以扩展一FLASH然后象外扩SRAM一样衍射过去.做到一个应用代码分别烧写到两FLASH内部.不知道这样想对不?
第三:电路上用DS接到外部数据的A16较,那物理上是否0x0000-0xffff为数据区;0x10000-0x1ffff为代码区?
比较晕,还忘帮忙指点一下. |
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