关于反并联可控硅击穿

登录 · 发表于 2012-9-26 15:07

本帖最后由 holddreamair 于 2012-10-7 11:00 编辑

大家好！最近在做三相可控硅开关的实验，用的是反并联可控硅，大概相当于双向可控硅吧，总有一路被击穿。有人说击穿一般是过压击穿和过流过热击穿。我这个是一上电就击穿，貌似属于过压击穿的范畴，但是我这里用了由电阻和电容串联构成的保护回路还是击穿。不知道各位大虾是否有人遇到过可控硅击穿的问题，都是怎么解决的啊？

发表于 2012-9-26 15:47

贴图来看

发表于 2012-9-26 21:25

你得把你的试验调试说清楚包括电路原理图试验的电气条件，环境等等

发表于 2012-9-26 22:30

楼主的两个可控硅是用什么驱动的？光耦吗？
我曾经做一个大功率的加热器的时候就是用的这种方式，不过没有出现你说得这个问题

发表于 2012-9-27 09:53

2# jjjyufan 不好意思啊，没有关于可控硅电路的完整原理图，我也不好粘贴到这来

发表于 2012-9-27 09:54

4# jimmywalk 光耦+单片机

发表于 2012-9-27 10:16

3# Siderlee 原理图不方便贴出来，也没有完整的。原理是光耦检测过零点，单片机发送触发信号。上电380V，感觉是瞬间击穿一相，貌似是C相，也许是A相，所以感觉像是过压击穿，保护回路用的是100R+100nFCBB电容。

发表于 2012-9-27 10:18

3# Siderlee 回复原理图应该没有太大问题，过零检测和触发都很正常

发表于 2012-9-27 10:43

不贴图也就算了
别人也只是从你原理分析疑点，
再说，你自己都肯定了疑点没有问题，
那还让人怎么回答呢？
要找出问题，关键问题描述要清晰，应用环境电压电流原理图等各项信息越完整，才能最大限度的找到问题所在。

发表于 2012-9-27 12:32

9# jjjyufan 我主要是想知道可控硅击穿可能是由什么引起的？另外我上电到150V的时候还可以正常工作的，上到380就不行了

发表于 2012-9-27 12:35

用到的是多少伏特电压的可控硅？什么型号的

holddreamair · 发表于 2012-9-27 13:02

考虑负载或者线路的容性成分可能带来的瞬间di/dt。
没有图，只能这么怀疑。

发表于 2012-9-28 14:26

11# jimmywalk IXYS MCC56的 Vrrm=1600V

发表于 2012-9-28 14:29

12# guosr 测得流过晶闸管的电流波形谐波比较多，不知道为什么？还有那个保护回路我用的100R电阻和CBB电容行不行？看有人说这里要用高频电容，不知道CBB电容算不算高频电容呢

发表于 2012-10-2 11:25

是不是一上电时单片机I/O输出不稳定，使两相同时导通了？

发表于 2012-10-6 09:08

本帖最后由 holddreamair 于 2012-10-7 11:04 编辑

15# 一如既往 感觉不像是单片机的问题，单片机先上电，之后手动开启晶闸管的投切动作。如果真的是单片机刚上电不稳定的话怎么解决呢？

holddreamair · 发表于 2012-10-6 20:42

监控一下你的可控硅两端的电压波形吧启动瞬间的

估计你这个是过流了瞬间的

发表于 2012-10-6 22:42

吸收保护电路没做好，又不舍得贴图分析，不好说了。

登录 · 发表于 2012-10-7 08:26

本帖最后由 holddreamair 于 2012-10-7 11:07 编辑

17# Siderlee 有件郁闷的事是用示波器捕捉不到可控硅两端的波形，如图用示波器测得的是乱七八糟的波形，所以很多条件都不好判断呀。另外，如果真的是过流的问题，造成过流的可能原因是什么呢？可能是没有准确在过零点开启晶闸管而需要调整单片机程序吗？还有其他可能没有？

发表于 2012-10-7 11:09

18# ZG11211 晶闸管的保护回路我已经用了电阻和电容串联并接在晶闸管上，还有其他吸收保护回路的功课要做吗？

[开关电源] 关于反并联可控硅击穿

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