打印

这句话怎么理解?

[复制链接]
9545|67
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-7 19:22 编辑

在 比较放大器 的一个ppt里面(许多ppt都是这个的copy)遇到如图红色圈住的一段话:
“电源电压升高,工作电流增大,工作速度加快”






这句话我有以下两种理解方式:
1。对于同一个比较器,Vcc这个外接电源越高,比较器翻转速度越快。
2.对于不同类型的比较器,有着这样一种趋势:工作的外接电源越高的比较器,普遍翻转速度都比较快。


到底哪一种理解正确呢?还是另有他解?
如果第一种的话,为什么呢?(确实不太好理解)


期待高手释疑解惑!
得益于大家的帮助,帖子进展到如下阶段:
图中所指的 电源电压目前基本判断为ui(参考44楼 art of electronic 一书的截图)(欢迎拍砖!)
然还不能和主流的“结电容随电压变高而变小”这一逻辑相统一。
静候大侠ing。。。

相关帖子

沙发
dqyubsh| | 2012-11-4 13:32 | 只看该作者
説到原理我是小白,我感觉是第一种情况,而且感觉单片机也有这个共性。坐等高手回答。

使用特权

评论回复
板凳
lymex| | 2012-11-4 14:01 | 只看该作者
1的理解是正确的,主要原因可以简单的这样理解:IC里面的时间大多是电阻电容确定的,电阻×电容=时间,而电容一般是随电压升高而下降的,因此时间常数随电压升高而减少。

使用特权

评论回复
评分
参与人数 2威望 +5 收起 理由
GavinZ + 3
xmar + 2
地板
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 14:32 | 只看该作者
3# lymex 这个理论我很陌生。话说回来,比较器内部似乎几乎没有电容,为的就是提高反应速度

使用特权

评论回复
5
Lgz2006| | 2012-11-4 15:28 | 只看该作者
有很多寄生PN结电容

使用特权

评论回复
6
firewolf火狼| | 2012-11-4 16:14 | 只看该作者
可以看看比较器例如393的手册,上面说到电压越高速度越快

使用特权

评论回复
7
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 17:25 | 只看该作者
请问大侠怎么理解电压越高,电容越小这个道理呢?第一次接触

使用特权

评论回复
8
firewolf火狼| | 2012-11-4 17:37 | 只看该作者
Q=CU,电压越大,C越小么

使用特权

评论回复
9
雨雪随行| | 2012-11-4 17:50 | 只看该作者
哪有人说电压越大电容越小?  不是的 电压越大 电流越大 电容充放电越快 反应速度越快

使用特权

评论回复
10
yuyuheqiu| | 2012-11-4 18:22 | 只看该作者
;P是这么个情况:集成比较器为OC门或OD门电路,此处的电源电压是OC门所加的电压,即V’CC而非VCC,电源电压愈大,三极管越是深饱和,Uce=Usat,三极管从饱和到截止的时间就越短。仅供参考

使用特权

评论回复
11
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 18:26 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-4 22:19 编辑

9# 雨雪随行 那为什么描述充放电速度的时间常数RC里面没有U呢?迷惑不解

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +3 收起 理由
GavinZ + 3
12
mjc4404| | 2012-11-4 19:11 | 只看该作者
三极管饱和程度越深, 速度应该越慢才对啊.

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
xiaotaodemeng + 1
13
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 22:10 | 只看该作者
依然没有搞明白。高人不要一旁偷笑哈,快告诉老弟我正确答案吧,急死我了...呵呵

使用特权

评论回复
14
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 22:19 | 只看该作者
13# wellong 这个“延迟”具体的含义是?

使用特权

评论回复
15
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 22:20 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-4 22:22 编辑

8# firewolf火狼 ...这里出现这个公式,很意外啊。而且我们用这个公式的时候,C都当常数用的啊,不是么?

使用特权

评论回复
16
amwrdfe| | 2012-11-4 22:20 | 只看该作者
结电容的确随结电压而改变的。
截止时,电压越高,pn结壁就越厚,电容自然就小。

使用特权

评论回复
17
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 22:27 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-4 22:55 编辑

17# amwrdfe 马上去复习一下。。。原来真的是:



使用特权

评论回复
18
沉默爱电子| | 2012-11-4 22:46 | 只看该作者
那些21IC的大神的。坐等

使用特权

评论回复
19
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-4 23:00 | 只看该作者
话说回来,我们在学习 “BJT的高频等效模型” 一章,那里接触到的结电容C(一般写成Cπ'),尤其是例题和课后题中遇到的求算Cπ’的题,似乎都默认它是常数。
这是不是说明它随电压变化的幅度其实并不是很大呢?
我个人猜测的。
求释疑解惑。。

使用特权

评论回复
20
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-5 09:19 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-5 10:49 编辑

17# amwrdfe 我可能有点锱铢必较:大侠所说的是反向时的是势垒电容,不错,反向电压越高,这个电容越小。然而与此同时我们应该看到:正向导通时,起作用的扩散电容又会因为电压升高,电流增大,表现出增大的趋势。  
当然,我们还应该看到,运放工作时,毕竟截止状态的三级管客流量很少,而处于正常放大状态三级管明显多得多。
总的效应似乎又是说:电压越大,电流越大,反应时间越长。

再次昏厥中

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

2

主题

406

帖子

1

粉丝