闪存,闪速存储器(Flash Memory)是一种电可擦非易失性半导体存储器。由于采用的是非挥发性存储技术,闪速存储器在不加电状态下可以安全保存数据达十年以上。闪速存储器具有EZPROM那样的单管结构,制造成本低、体积小,且其存取时间仅为30ns,比EZPROM快得多。闪速存储器还兼有ROM和RAM两者的性能及高密度,因而是目前为数不多的既具备大容量、高速度,又具有非易失性、可在线擦写特性的存储器,闪速存储器市场发展十分迅速,其规模接近DRAM市场的1/4,与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。
常见的闪存芯片一般有以下两种:一种是传统的NOR闪存,其芯片内储存的数据可以直接读取,因而速度比较快,但是价格较高;另外一种是NAND闪存,这种闪存也称为固态硬盘,它内部数据以块为单位进行存储,地址线和数据线共用,使用控制信号选择。
各种存储设备如优盘,主板BIOS芯片、MP3, Smart Media卡、Disk On Chip (DOC), PCMCIA卡等都是使用上面的两种芯片作为存储介质。
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在: |