存储器件---SRAM ---PSRAM ---LPSRAM

只看该作者 · 2012-11-10 21:21

RAM 结构框图如图1 所示。它主要由存储矩阵（又称存储体）、地址译码器和读/写电路 3 部分组成。存储矩阵是存储器的主体，其他两部分称为存储器的外围电路。

存储矩阵是由许多存储单元有规则地排列构成的，每一个存储单元可以存储一位二进制码。对每个存储单元用二进制码编号，即构成存储单元的地址，为了选中给定单元的地址，可以采用一元寻址（又称为字结构或单译码结构），或者二元寻址（又称位结构或双译码结构）。其逻辑框图如2 所示，图中，存储矩阵包含 16 个存储单元，所以，需要 16 个地址。
图2（a）是一元寻址，由 4 位地址码便可构成 16 个地址，即 16 条字线，每条字线为 1 电平时便选中相应存储单元。被选中单元通过数据线与读/写电路连接，便可实现对该单元的读出或写入。

图 2(b)为二元寻址逻辑图，它有 X 和 Y 两个地址译码器。每个存储单元由 X字线和 Y 字线控制，只有在 X 和 Y 字线都被选中时才能对该单元读出或写入。二元寻址可以大大减少字线数量。所以，在大容量 RAM 中均采用二元寻址。

只看该作者 · 2012-11-10 21:22

静态Static MOS 存储单元

图 3 所示的是静态 MOS 六管存储单元。图中，X i和 Yj为字线；I/O 为数据入/输出端；R/ W 为读/写控制端。当 R/ W =0 时，进行写入操作；当 R/ W =1 时，行读出操作。

只看该作者 · 2012-11-10 21:22

电路均由增强型 NMOS 管构成，T1、T3和 T2、T4两个反相器交叉耦合构成触器。电路采用二元寻址，当字线 Xi和 Yj均为高电平时，T5~T8均导通，则该单元选中，若此时R/ W为1，则电路为读出态，三态门G1、G2被禁止，三态门G3工作，存储数据经数据线 D，通过三态门 G3至 I/O 引脚输出。若 R/ W 为 0，则三态G1、G2工作，三态门 G3被禁止，由 I/O 输入数据经 G1、G2便写入存储单元。

静态StaticMOS-RAM（简称 SRAM）

只看该作者 · 2012-11-10 21:22

SRAM产品种类繁多，在容量与功耗等指标上有很宽的覆盖面，可供不同的场合应用，但基本电路结构大同小异。图4是W2114 SRAM（1K*4位），这是一种典型结构，5H2112（256*4）和美国的HM6116（2K*8）位都是采用这种结构。它采用HC-MOS工艺（H表示高速），所以，具有高速、低耗、单一5V电源、外围电路简单、输入输出引脚公用、三态输出、使用非常简单以及存取时间短（为100ns）的特点。

只看该作者 · 2012-11-10 21:22

CS为选通端， WE 为写使能控制端，A0~A9为地址，I/O1~I/O4为输入/输出。显然可见为二元寻址和三态输出结构。 CS为低电平有效，电路选通之后，若要写入操作，则令 WE =0，输入三态门被选通(高电平有效)，数据通过输入控制电路被写入；与此同时，输出三态门关闭，切断了输出与数据总线的联系。若要读出，则令 WE =1，输入三态门关闭而输出三态门被选通，因而存储数据被读出。功能表示于下表。

只看该作者 · 2012-11-10 21:22

PSRAM 基本原理：
PSRAM（Pseudo Static Random Access Memory），假静态随机存储器。

PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

PSRAM目前发展现状：

东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。

只看该作者 · 2012-11-10 21:23

LPSRAM 相关介绍：
LPSRAM （Low Power Static Random Access Memory），低功耗同步动态随机存取存储器。

LPSRAM又称为极快的低功耗SRAM，它可减少移动电话的等待时间，提高性能。现在已经有厂商推出极快的4M/8M/16M LPSRAM，存取时间只有40ns。

未来SRAM市场的增长将是平稳和渐进的。这种特点与其所服务的市场属性有关，更重要的一点是传统的SRAM技术正在受到其他竞争性的DRAM技术的冲击：在高速网络方面，FCRAM（Fast Cycle RAM）和RLDRAM（Reduced Latency DRAM）技术正在相互竞争中快速成长；在便携式应用领域，诸如CellularRAM与MobileFCRAM等PSRAM产品也正在逐渐挤压原先由SRAM独占的低功耗应用的空间。

尽管SRAM在某些方面还有其难以替代的功能特性，但市场对存储器产品在速度、存储密度、功耗等方面综合性的要求将继续推进那些SRAM替代技术的发展。

手机对存储容量需求将逐渐攀升。

手机里的存储器大多使用LPSRAM，因为SRAM比DRAM省电，但是随着未来手机、PDA等产品的分界线越来越模糊，手机上的功能也越来越多，这将使手机对存储器容量的需求也逐渐攀升。