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[DCDC]

为什么我的mos管G级与DC-DC升压芯片之间要加个电阻

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沙发
Siderlee| | 2012-11-14 12:44 | 只看该作者
哎。。。

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板凳
Siderlee| | 2012-11-14 12:45 | 只看该作者
因为吃得太饱了。。。

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地板
zhoupan1988|  楼主 | 2012-11-14 12:49 | 只看该作者
什么意思啊?我是新手啊!能不能说清楚一点啊?:'(

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不亦心| | 2012-11-14 13:14 | 只看该作者
消震&改善dv/dt(对EMI有影响)

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6
zhoupan1988|  楼主 | 2012-11-14 14:19 | 只看该作者
:'(

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7
logokfu| | 2012-11-16 23:51 | 只看该作者
不应该啊

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8
不亦心| | 2012-11-17 01:03 | 只看该作者
都已经说了 6# zhoupan1988

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9
qiwaren| | 2012-11-18 15:05 | 只看该作者
VGS达不到VTH

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10
trevor2011| | 2012-11-20 12:15 | 只看该作者
参考下这个帖子http://bbs.**/topic/249807

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trevor2011| | 2012-11-20 12:15 | 只看该作者
栅极电阻影响MOSFET的开关时间、开关损耗、反向偏置安全运行区域(RBSOA)、短路电流安全运行区域(SCSOA)、EMI、dv/dt、di/dt和续流二极管的反向恢复电流。

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