关于BJT的“饱和”

发表于 2012-11-19 09:26

BJT的饱和若“凭空”而论只能从其输出特性曲线中去找。教科书中早有定论，BJT的输出特性分三个部分——饱和、放大、击穿，场管类似有变阻、饱和（相当于BJT的放大）、击穿。这种分类基本是“形态”上的，而非严格量化。具体的量化分析必须结合具体的电路结构，如负载线、恒流线和恒压线分析等。

BJT的“饱和”可理解为放大条件尚未足够（通常是电源电压不够），即未足以使其形成电流源输出。

BJT的“放大”可理解为条件成熟，基本可以视其为受控电流源。

BJT的“击穿”可理解为过耐压，致使其脱离电流源输出特性。

注：此地的“电流源”仅是其特性的近似比喻。另外要强调的是，这都是晶体管的低频特性。

发表于 2012-11-19 10:29

不如说明下深度饱和吧

发表于 2012-11-19 10:36

不如说明下深度饱和吧
danmercury 发表于 2012-11-19 10:29

“形态学”解释：

深者，必有“深坑”（自己去找深坑形成之条件）。然后再去找相应输出特性中的“坑底”便是。

发表于 2012-11-19 13:14

不是很同意LZ的说法，BJT的输出特性包括截止、放大和饱和三个状态，截止可以理解为条件为成熟，而饱和是指基极电流大到一定程度后，集电极接收载流子的能力减弱，Ic与Ib不再是线性关系。

发表于 2012-11-19 13:36

不是很同意LZ的说法，BJT的输出特性包括截止、放大和饱和三个状态，截止可以理解为条件为成熟，而饱和是指基极电流大到一定程度后，集电极接收载流子的能力减弱，Ic与Ib不再是线性关系。 ...
xingnuolgsx 发表于 2012-11-19 13:14

“截止”是指晶体管未开启导通时的那条输出特性曲线（或其下部区域），严格说来其并非是一般输出特性曲线的组成部分。

另外，晶体管的“线性”状态非常狭小（仅占放大部分的一小部分），这也是通常需用小信号分析的原因所在。

发表于 2012-11-19 13:45

判别BJT饱合的根据，是集电结正偏

发表于 2012-11-19 13:53

【晶体管的“线性”状态非常狭小】——初学者不要理解错了——放大部分里任一狭小区域都看做“线性”

发表于 2012-11-19 13:53

BJT饱和一般认为是集电结正偏了。

发表于 2012-11-19 13:54

首帖补充：

理想BJT是否存在“饱和”？答案是存在。

理想BJT的输出特性曲线是折线“Γ”，其中竖线部分就是“饱和”、横线部分则为“放大”。自然，理想BJT不存在“击穿”。

发表于 2012-11-19 13:58

所有的教材都强调“小信号”交流等效电路，以表明只有小信号时才可以将三极管看成是线性的。
唯独***，对“小信号”一次也没有提过，直接就把三极管当成线性的。

发表于 2012-11-19 13:58

这样分析没意义

发表于 2012-11-19 14:13

这样分析没意义
xuxikfg 发表于 2012-11-19 13:58

这里根本未涉及分析。

若要分析，先给出模型，然后才是分析。

发表于 2012-11-19 14:24

【晶体管的“线性”状态非常狭小】——初学者不要理解错了——放大部分里任一狭小区域都看做“线性”
Lgz2006 发表于 2012-11-19 13:53

不对。

通常定在传递曲线的拐点附近。

至于“拐点”是什么？复习《高等数学》。

发表于 2012-11-19 14:35

有点意思。

BJT，MOS的饱和，最简单的一种情况是基极，栅极电压很大决定的，做开关。对于MOS，是Vds<Vgs-Vth，当Vg接电源电压，电路不存在boost的时候，就是你说的电阻区。同样，BJT如果基极直接高电源，BJT势必不能按指数方程描述电流，掉落到饱和区，类似开关。

如果理想管子，“Γ”，斜率无穷大，哪来饱和可言。

发表于 2012-11-19 14:40

有点意思。
....

如果理想管子，“Γ”，斜率无穷大，哪来饱和可言。
icecell 发表于 2012-11-19 14:35

当然有。

发表于 2012-11-19 14:43

饱和区，是用Vce和Vds描述电流方程，理想管子是去掉了这个方程

发表于 2012-11-19 17:09

饱和区，是用Vce和Vds描述电流方程，理想管子是去掉了这个方程
icecell 发表于 2012-11-19 14:43

不明白你那个电流方程式指什么。理想晶体管（一般分析通常也是如此）分析必须采用分段处理，饱和下理想晶体管等效于短路。

另外也可以分析理想晶体管接入理想电流源的情形（电流源电流小于晶体管的电流）。其特性曲线之焦点就在“竖线”处。

发表于 2012-11-19 17:33

电流方程，MOS管的好找，三极管区，I=k(Vgs-Vth).Vds，BJT的饱和区从输出特性曲线上看I=k.Vce。

理想的管子如你所说，是短路，是一个符号函数，这个时候讨论饱和有意义么？

发表于 2012-11-19 18:13

等效短路就是其意义。

发表于 2012-11-20 11:15

A,B,C 三女, A女聞到香蕉味就飽了,B女吃了一根就飽,C女要100根才會飽,即是這樣,就是說飽不是指單位.
也就是說,只要對飽合的認知稍為碰到答案,就都是對的, 但是樓主的說法很顯然就是錯的,你說的應該是開關,

关于BJT的“饱和”

相关帖子

浏览过的版块

荣誉元老奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章

晶莹之水滴

以坛为家

技术高手奖章

技术新星奖章

偶尔光临

终身成就奖章

技术导师奖章

核心会员奖章

常驻人口