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关于BJT的“饱和”

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HWM|  楼主 | 2012-11-19 09:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
BJT的饱和若“凭空”而论只能从其输出特性曲线中去找。教科书中早有定论,BJT的输出特性分三个部分——饱和、放大、击穿,场管类似有变阻、饱和(相当于BJT的放大)、击穿。这种分类基本是“形态”上的,而非严格量化。具体的量化分析必须结合具体的电路结构,如负载线、恒流线和恒压线分析等。

BJT的“饱和”可理解为放大条件尚未足够(通常是电源电压不够),即未足以使其形成电流源输出。

BJT的“放大”可理解为条件成熟,基本可以视其为受控电流源。

BJT的“击穿”可理解为过耐压,致使其脱离电流源输出特性。


注:此地的“电流源”仅是其特性的近似比喻。另外要强调的是,这都是晶体管的低频特性。

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沙发
danmercury| | 2012-11-19 10:29 | 只看该作者
不如说明下深度饱和吧

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HWM|  楼主 | 2012-11-19 10:36 | 只看该作者
不如说明下深度饱和吧
danmercury 发表于 2012-11-19 10:29

“形态学”解释:

深者,必有“深坑”(自己去找深坑形成之条件)。然后再去找相应输出特性中的“坑底”便是。

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xingnuolgsx| | 2012-11-19 13:14 | 只看该作者
不是很同意LZ的说法,BJT的输出特性包括截止、放大和饱和三个状态,截止可以理解为条件为成熟,而饱和是指基极电流大到一定程度后,集电极接收载流子的能力减弱,Ic与Ib不再是线性关系。

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HWM|  楼主 | 2012-11-19 13:36 | 只看该作者
不是很同意LZ的说法,BJT的输出特性包括截止、放大和饱和三个状态,截止可以理解为条件为成熟,而饱和是指基极电流大到一定程度后,集电极接收载流子的能力减弱,Ic与Ib不再是线性关系。 ...
xingnuolgsx 发表于 2012-11-19 13:14

“截止”是指晶体管未开启导通时的那条输出特性曲线(或其下部区域),严格说来其并非是一般输出特性曲线的组成部分。

另外,晶体管的“线性”状态非常狭小(仅占放大部分的一小部分),这也是通常需用小信号分析的原因所在。

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6
PowerAnts| | 2012-11-19 13:45 | 只看该作者
判别BJT饱合的根据,是集电结正偏

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Lgz2006| | 2012-11-19 13:53 | 只看该作者
【晶体管的“线性”状态非常狭小】——初学者不要理解错了——放大部分里任一狭小区域都看做“线性”

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8
wangmu7206| | 2012-11-19 13:53 | 只看该作者
BJT饱和一般认为是集电结正偏了。

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9
HWM|  楼主 | 2012-11-19 13:54 | 只看该作者
首帖补充:

理想BJT是否存在“饱和”?答案是存在。

理想BJT的输出特性曲线是折线“Γ”,其中竖线部分就是“饱和”、横线部分则为“放大”。自然,理想BJT不存在“击穿”。

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10
maychang| | 2012-11-19 13:58 | 只看该作者
所有的教材都强调“小信号”交流等效电路,以表明只有小信号时才可以将三极管看成是线性的。
唯独***,对“小信号”一次也没有提过,直接就把三极管当成线性的。

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11
xuxikfg| | 2012-11-19 13:58 | 只看该作者
这样分析没意义

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HWM|  楼主 | 2012-11-19 14:13 | 只看该作者
这样分析没意义
xuxikfg 发表于 2012-11-19 13:58

这里根本未涉及分析。


若要分析,先给出模型,然后才是分析。

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HWM|  楼主 | 2012-11-19 14:24 | 只看该作者
【晶体管的“线性”状态非常狭小】——初学者不要理解错了——放大部分里任一狭小区域都看做“线性”
Lgz2006 发表于 2012-11-19 13:53

不对。

通常定在传递曲线的拐点附近。


至于“拐点”是什么?复习《高等数学》。

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icecell| | 2012-11-19 14:35 | 只看该作者
有点意思。

BJT,MOS的饱和,最简单的一种情况是基极,栅极电压很大决定的,做开关。对于MOS,是Vds<Vgs-Vth,当Vg接电源电压,电路不存在boost的时候,就是你说的电阻区。同样,BJT如果基极直接高电源,BJT势必不能按指数方程描述电流,掉落到饱和区,类似开关。

如果理想管子,“Γ”,斜率无穷大,哪来饱和可言。

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15
HWM|  楼主 | 2012-11-19 14:40 | 只看该作者
有点意思。
....

如果理想管子,“Γ”,斜率无穷大,哪来饱和可言。
icecell 发表于 2012-11-19 14:35


当然有。

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16
icecell| | 2012-11-19 14:43 | 只看该作者
饱和区,是用Vce和Vds描述电流方程,理想管子是去掉了这个方程

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17
HWM|  楼主 | 2012-11-19 17:09 | 只看该作者
饱和区,是用Vce和Vds描述电流方程,理想管子是去掉了这个方程
icecell 发表于 2012-11-19 14:43

不明白你那个电流方程式指什么。理想晶体管(一般分析通常也是如此)分析必须采用分段处理,饱和下理想晶体管等效于短路。


另外也可以分析理想晶体管接入理想电流源的情形(电流源电流小于晶体管的电流)。其特性曲线之焦点就在“竖线”处。

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icecell| | 2012-11-19 17:33 | 只看该作者
电流方程,MOS管的好找,三极管区,I=k(Vgs-Vth).Vds,BJT的饱和区从输出特性曲线上看I=k.Vce。

理想的管子如你所说,是短路,是一个符号函数,这个时候讨论饱和有意义么?

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19
HWM|  楼主 | 2012-11-19 18:13 | 只看该作者
等效短路就是其意义。

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20
nianyan99| | 2012-11-20 11:15 | 只看该作者
A,B,C 三女, A女聞到香蕉味就飽了,B女吃了一根就飽,C女要100根 才會飽,即是這樣,就是說飽不是指單位.
也就是說,只要對飽合的認知稍為碰到答案,就都是對的, 但是樓主的說法很顯然就是錯的,你說的應該是開關,

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