请看看我这个电路是否正确：用MOSFET实现直流浪涌抑制

只看该作者 · 2009-3-18 16:40

大家好：
想用MOSFET设计一个直流浪涌抑制，思路是当输入Vin超过36V时，Q2对地导通，MOSFET被关断；当Vin小于36V时，TL431的负极电压起作用，使得Vgs=5V，MOSFET导通。

本意是想用MOSFET设计一个浪涌抑制电路，当电压在12V~36V时MOSFET导通的，范围之外的都是关断保护的，俺是模拟菜鸟，只好上来请教大虾们了，请多多指教！
谢谢！

只看该作者 · 2009-3-18 20:42

看来错误是很多了，嘿嘿……

只看该作者 · 2009-3-19 08:30

请赐教

只看该作者 · 2009-3-19 09:44

R5，R6的数值不可靠。
或者把TL431和Q2换过来重新计算。

只看该作者 · 2009-3-19 11:47

输入电压是变化的，在MOSFET导通的情况下输出电压也是变化的，所以我放一个TL431那里是想保障Vgs恒为5V，不会根据输出电压的变化而导致Vgs变小而导致MOSFET关闭，所以这里这样应用TL431不知道是否正确？
而Q2是想用来当输入电压达到36V时，直接把MOSFET的G极电压拉低为地，使得MOSFET直接关闭。

只看该作者 · 2009-3-20 16:43

回去后好好把TL431给寻思了一番，发现自己错了很离谱，那个电路不但错得很离谱，而且也没法通过小改动去实现相应的功能。
现在直接寻了一片MIC5014来驱动MOSFET了，另外结合TL431来做电压监视，估计差不多了，回头搞成了再把图发上来，再请大虾们评判一下。
谢谢诸位了！

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请赐教

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