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MOSFET N管 电流切换开关

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楼主
mingyuekd|  楼主 | 2012-11-22 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 开关, 电流, 信号, 信号线
现有电机A+A-信号线，2A电流。想用MOSFET管做为开关，对信号线执行通和关断要求。用的mos管 意法STP75NF75片子。以下是附图。 此接法合理不。有更合理的推荐下。

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沙发
xwj| | 2012-11-22 11:47 | 只看该作者
唉~

自己去分析判断各点电压：控制端高时会怎么样，控制端低时会怎么样...

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板凳
longkai| | 2012-11-22 12:40 | 只看该作者
怎么发帖呢 我只能回复呀

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地板
youimiss| | 2012-11-22 12:51 | 只看该作者
2# xwj
前辈您辛苦了！

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5楼
Isara| | 2012-11-22 13:11 | 只看该作者
这种开关电路碰巧用过，提点建议：
1.三极管C极电阻1K就够了
2.三极管B极对VCC接一上拉电阻（低电平开通，所以接上拉电阻使其保持长断，特别是刚上电防止出现误操作）和0.1u电容滤波，电阻值可以调整，过小的话不能有效滤掉干扰，过大的话控制延迟就高。

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6楼
mingyuekd|  楼主 | 2012-11-22 13:18 | 只看该作者
MOS管 G极高电平，管子DS极导通。低电平截止。我是这样分析的。不知道实际片子搭出电路是否这样效果。
理论MOS管是增强型。GS大于门限电压 逐渐增大的话。DS流过电流线性增加。 假设是这样的话。mos开关还改变了电流，就不能使用了。

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7楼
Isara| | 2012-11-22 13:45 | 只看该作者
6# mingyuekd
MOS管是电压控制电流，你控制住Vgs，调好工作点，自然就直接控制住了Ids

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8楼
xmar| | 2012-11-22 14:56 | 只看该作者
首先楼主的电路是错误的。需要修改为：10k电阻改为1k、PNP三极管改为NPN、连接三极管发射极的VCC改为地GND。即便是如此还要问题。
做上述修改后，电路关断电流没问题，主要是接通电流就有问题了，特别是接通2A的电流更是问题严重。如果NMOS管导通，必须 Vin > Vgs + Vout，假如Vgs=2.5V（好多NMOS管的Vgs比2.5V还要高），2A时，NMOS的功耗就有 2 * 2.5 = 5（W）。可见功耗、发热、浪费巨大。即使修改电路实际也不可用。电流从漏极D输出MOS管功耗才能做小。

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9楼
Isara| | 2012-11-22 15:01 | 只看该作者
8# xmar

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10楼
xmar| | 2012-11-22 15:11 | 只看该作者
这个才可以：

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11楼
mingyuekd|  楼主 | 2012-11-22 15:30 | 只看该作者
[img][/img]

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12楼
mingyuekd|  楼主 | 2012-11-22 15:33 | 只看该作者
我对这个MOS管进行仿真了下。电阻R1 R2值100欧姆。输出端接了个电流表。发现电流起不来。

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13楼
mingyuekd|  楼主 | 2012-11-22 16:43 | 只看该作者
电路从先调整了下。有关断功能。 发现DS极压差太大，电流输出限制住了。

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未命名11.jpg (107.88 KB )

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14楼
gx_huang| | 2012-11-22 18:54 | 只看该作者
PMOS高端控制，NMOS低端控制。
另外，如果是电机负载，注意断开瞬间的反峰电压，最好加续流。

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15楼
blessdxp| | 2012-11-24 09:35 | 只看该作者
mos是电压控制型器件没有必要把限流电阻加的那么大，大了开通的慢

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16楼
blessdxp| | 2012-11-24 14:29 | 只看该作者
如果是做开关使用，直接使用ttl电平驱动一下就可以了，可以使用正负电源控制，开通使用+15v的10%左右，关断使用-8v的10%

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17楼
blessdxp| | 2012-11-24 14:30 | 只看该作者
当然又增加Rg电阻

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18楼
weilai_happy| | 2012-11-24 16:25 | 只看该作者
R3右边加一个10K下拉电阻和一个2.2U的电容，保证常断。

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