请教个小问题，关于NAND 和NOR的

只看该作者 · 2012-11-29 11:32

请教21的各位高手，

在NAND和NOR Flash中，数据的写入和读出，是否在时序上有一个

DQ数据线先出现数据，然后是一个数据建立时间，Nor在OE#，WE#的上升沿时才将数据读出或写入的，NAND在RE#上升沿时将数据读出。

就是NOR与NAND都是在时序上有一个数据建立时间，在控制信号（OE#,WE#,RE#）的上升沿处进行数据的读写，而不是在控制信号为低电平有效时进行读写的。

谢谢。

只看该作者 · 2012-11-29 17:32

自己顶一下哈~

另外，还想请教：

我了解到使用中NAND的读写速度要比NOR快。通过学习书中的一些知识，发现在NOR Flash比NAND Flash多一组地址线，因此NAND在比如读操作中，需要先通过行列将所要操作的地址通过数据线设置到Flash，而之后有一个BUSY时间用作数据准备，随后就可以连续的数据输出
而Nor Flash则是通过地址线和数据线共同操作直接将所设定地址的数据输出，结果导致每输出一次数据都要经过一个地址建立，CE#建立，OE#建立的时间，即NOR没有NAND所做的BUSY用于数据准备，导致速度比NAND慢。

不知道理解的对不对，还请大家帮忙看看，指教一二。

只看该作者 · 2012-11-30 11:34

理解有点偏差。。

NAND是顺序存取，页编程，所以比较大的读取时速度快，而NOR是随机存取，需要一个地址一个地址的设定，在较少的读取时速度快。

大家一块讨论讨论呗

请教个小问题，关于NAND 和NOR的

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