ATMEL 爱特梅尔串行FLASH 存储器 AT45DB161D 有2048页（每页264字节）内存（Flash Memory,也叫主存Main Memory）和两具Buffer(每个Buffer为264字节的SRAM)组成。ATMEL 爱特梅尔串行FLASH 存储器 AT45DB161D 数据可以直接写入闪存，也可以选写入Buffer，然后再将Buffer的数据整个复制到闪存的某一天，也可以在闪存正处于编程时（页编程时间典型值7ms）将数据写入Buffer。
读主存 52H rrr PA10～PA0 BA8～BA0 32个×
读Buffer1 54H ×××× 11个× BFA8～BFA0 8个×
读Buffer2 56H ×××× 11个× BFA8～BFA0 8个×
主存传送到Buffer1 53H rrrr PA10～PA0 9个×
主存传送到Buffer2 55H rrrr PA10～PA0 9个×
主存与Buffer1比较 60H rrrr PA10～PA0 9个×
主存与Buffer2比较 61H rrrr PA10～PA0 9个×
写Buffer1 84H ×××× 11个× BFA8～BFA0
写Buffer2 87H ×××× 11个× BFA8～BFA0
带擦除的Buffer1传送到存 83H rrrr PA10～PA0 9个×
带擦除的Buffer2传送到主存 86H rrrr PA10～PA0 9个×
不带擦除的Buffer1传送到主存 88H rrrr PA10～PA0 9个×
不带擦除的Buffer2传送到主存 89H rrrr PA10～PA0 9个×
Buffer1为缓冲对主存编程 82H rrrr PA10～PA0 BA8～BA0
Buffer2为缓冲对主存编程 85H rrrr PA10～PA0 BA8～BA0
Buffer1为缓冲自动重编程 28H rrrr PA10～PA0 9个×
Buffer2为缓冲自动重编程 59H rrrr PA10～PA0 9个×
读状态寄存器 57H
r为保留位，AD45D041 用0代替，容量更大的器件一般可能会用到；
×为无关位（0或1均可，为了占时钟位）；
PA10～PA0用来指定页地址，对AD45D041 而言，一共有2048页，占11位；
BA8～BA0用来指定内字节的起始地址，每页264字节，占9位；
BFA8～BFA0用来指定缓冲区内字节的起始地址，缓冲区也是264字节；
52H～61H、82H-89H分别是用来区别不同操作的命令字。
读主存 52H rrr PA10～PA0 BA8～BA0 32个×
这句话是什么意思？
52H rrr PA10～PA0 BA8～BA0 32个×
是什么意思？
不带擦除的Buffer2传送到主存 89H rrrr PA10～PA0 9个×
这句话是什么意思？
Buffer1为缓冲对主存编程 82H rrrr PA10～PA0 BA8～BA0
这句话是什么意思？
Buffer1为缓冲自动重编程 28H rrrr PA10～PA0 9个×
这句话是什么意思？
读状态寄存器 57H
这句话是什么意思？
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