我的AD7190板噪声太大，不知该如何处理？

只看该作者 · 2012-12-9 14:23

AD7190,24bitAD，现在的现象是不接传感器的状态下，用电池供电，其信号输入端及参考电压端均有100mV上下的干扰，不知是什么原因产生的，也不知该怎么去正理，请高人帮解决下！

只看该作者 · 2012-12-13 16:21

要是我查，我就从电池开始一点一点往后查，看是什么东西弄出来的波纹。

只看该作者 · 2012-12-13 16:27

同上

只看该作者 · 2012-12-17 09:20

还有一点要先确认你的示波器是不是本来就有纹波

只看该作者 · 2012-12-17 14:39

问题找到：
如果AD不工作，纹波很小，如果一工作，足有100多mV，所以与AD有关。
我的方案我也有些怀疑：
称重电桥供电是10V，差动输入给AD，这样任一个信号对地为5V上下，是否这个方案不合适？请指点！
AD的工作电压是5V。

只看该作者 · 2012-12-17 14:59

根据ad的datasheet，unbuffered mode 为AVdd+50mv
buffered mode 为AVdd-250mv。

只看该作者 · 2012-12-17 15:11

按理说是够用的，因为传感器的最大输出为5V+20mV，所以应该是没问题，但现在是不知为什么出来这么大的噪声。

只看该作者 · 2012-12-18 10:57

不接传感器是什么状态，建议把ADC的输入端直接接地试试看。

只看该作者 · 2012-12-25 12:57

经过多方测试发现：只要是配置完AD7190，那相应的vref+上就会有噪声。

只看该作者 · 2012-12-25 13:19

电路有问题，建议贴电路看看

只看该作者 · 2012-12-28 13:46

请看图。

只看该作者 · 2012-12-28 13:53

有能帮我搞定的可以付费。
要求：
测试桥式称重传感器，10V激励电源，Vref+,Vref-,AIN3,AIN4为一组，Vref2+,Vref2-,AIN1,AIN2为一组，用成两组，不同Vref这样的方式。

只看该作者 · 2012-12-28 14:02

现在的现象是无论我采用什么样的方式在Vref+上都会有200mV的噪声，这个解决不掉，差动和单端的，都会有。
现在测试用单端的情况，把参考接到电源上，这样情况下，得到的结果的低8位会跳满，可以在0x632-0x752之间。

只看该作者 · 2012-12-28 14:45

这个是相关程序
void ad_delay(void)
{
u8 i;
i=10;
while (i--);
}
//读写均有8位或24位情况，所以各操作独立
void AD_Read(u8 readlong)
{
u8 i,j,temp1;
for (i=readlong;i>0;i--)
{
temp1=0;
for (j=0;j<8;j++)
{
AD_SCLK_L;
temp1<<=1;
ad_delay();
if (GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,AD_MISO)>0)
temp1++;
AD_SCLK_H;
ad_delay();
}
g_ADReadBuf[i-1]=temp1;
}
}
void AD_Write(u8 BtLong,u8 * wrdata)
{
u8 i,j,temp1;

for (i=BtLong;i>0;i--)
{
temp1=*(wrdata+i-1);
for (j=0;j<8;j++)
{
if (temp1&0x80)
AD_MOSI_H;
else
AD_MOSI_L;
ad_delay();
AD_SCLK_L;
ad_delay();
AD_SCLK_H;
temp1<<=1;
}
}
}
void AD_Reset(void)
{
u8 ad_buf[3];
ad_buf[0]=0xff;
ad_buf[1]=0xff;
ad_buf[2]=0xff;
AD_Write(3,ad_buf);
AD_Write(3,ad_buf);
}
/*********************************************************************/
/*函数名称：AD_ch1_Init(u8 refdata)                               */
/*功　　能：AD 通道1初始化                                        */
/*入口参数：refdata：转换的速度                                     */
/*出口参数：无                                                    */
/*********************************************************************/
void AD_ch1_Init(u8 refdata)
{
u8 i,ad_buf[3];
ad_buf[0] = 0x10;    //写0x10到通讯寄存器，以控制下一操作是写配置寄存器
AD_Write(1,ad_buf);
g_sysdelay1=0;
while(g_sysdelay1<2);
ad_buf[2] = 0x00;    //数据高位
ad_buf[1] = 0x10;    //数据中位
ad_buf[0] = 0x08;    //数据低位
AD_Write(3,ad_buf); //写入配置寄存器
while (GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,AD_MISO)==Bit_SET);

ad_buf[0] = 0x08;    //写0x08到通讯寄存器，以控制下一操作为写模式寄存器
AD_Write(1,ad_buf);
g_sysdelay1=0;
for (i=0;i<200;i++)
ad_delay();
while(g_sysdelay1<2);
ad_buf[2]=0x88;       //内部零点校准
ad_buf[1]=0x00;
ad_buf[0]=0x01;
AD_Write(3,ad_buf);
for (i=0;i<200;i++)
ad_delay();
while (GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,AD_MISO)==Bit_SET);

ad_buf[0] = 0x08;    //写0x08到通讯寄存器，以控制下一操作为写模式寄存器
AD_Write(1,ad_buf);
g_sysdelay1=0;
for (i=0;i<200;i++)
ad_delay();
while(g_sysdelay1<2);
ad_buf[2]=0xA8;       //内部满量程校准
ad_buf[1]=0x00;
ad_buf[0]=0x01;
AD_Write(3,ad_buf);
for (i=0;i<200;i++)
ad_delay();
while (GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,AD_MISO)==Bit_SET);

ad_buf[0] = 0x08;    //写0x08到通讯寄存器，以控制下一操作为写模式寄存器
AD_Write(1,ad_buf);
g_sysdelay1=0;
while(g_sysdelay1<2);
if (refdata==1)
{
ad_buf[2] = 0x08;    //内部4.92MHz，MCLK2引脚三态
ad_buf[1] = 0x00;    //波波器最大值，单周期转换无效,sinc3无效，校验位无效
ad_buf[0] = 0x10;    //波波器值=16，输出数据速率300Hz
}
else if (refdata==2)
{
ad_buf[2] = 0x08;    //内部4.92MHz，MCLK2引脚三态
ad_buf[1] = 0x00;    //波波器最大值，单周期转换无效,sinc3无效，校验位无效
ad_buf[0] = 0x20;    //波波器值=32，输出数据速率150Hz
}
else if (refdata==3)
{
ad_buf[2] = 0x08;    //内部4.92MHz，MCLK2引脚三态
ad_buf[1] = 0x00;    //波波器最大值，单周期转换无效,sinc3无效，校验位无效
ad_buf[0] = 0x50;    //波波器值=80，输出数据速率60Hz
}
else if (refdata==4)
{
ad_buf[2] = 0x08;    //内部4.92MHz，MCLK2引脚三态
ad_buf[1] = 0x00;    //波波器最大值，单周期转换无效,sinc3无效，校验位无效
ad_buf[0] = 0x60;    //波波器值=96，输出数据速率50Hz
}
AD_Write(3,ad_buf); //写入模式寄存器
while (GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,AD_MISO)==Bit_SET);

ad_buf[0] = 0x50;
AD_Write(1,ad_buf); //准备读配置寄存器
for (i=0;i<200;i++)
ad_delay();
AD_Read(3);          //读配置寄存器

ad_buf[0] = 0x5c;
AD_Write(1,ad_buf);//写命令到通讯寄存器，以决定下一操作为读数据寄存器
while (GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,AD_MISO)==Bit_SET);
}

只看该作者 · 2013-2-18 20:30

本帖最后由 gregy_cn 于 2013-2-18 20:35 编辑

Σ-Δ的ADC工作时会不停的切换+Vref、-Vref（常常为地）和输入给积分器，这个模块开关使用多是CMOS模拟开关（NMOS管和PMOS管并联而成），由于2个管子的寄生电容不对称，会出现“电荷注入”。如果LZ使用示波器观察，应该在Vref上看到向下冲（多是下冲，也可能个别的上冲）的波形。
如果是这个现象说明LZ的电压参考源输出强度不够（带载能力不足或者响应速度不佳），可以考虑在参考基准输出增加一级BUFFER。
同理输入也一样，必要时增加BUFFER。
推荐BUFFER的响应频率至少是ADC开关频率的10倍以上。

增加了器件温漂和时漂控制就会麻烦一些，毕竟使用24Bit了，还是称重用的，可能年漂移都出12位了。

只看该作者 · 2013-2-19 01:17

200mV觉得很大了
http://www.tudou.com/programs/view/-cPRwN42MZ4/
这个视频是我当年做个一个24位ADC测试的。用的是LTC2400，效果并不是很差，不多好象很多人也说LTC2400做不好。
我这里没有输入电压驱动，是直进的，基准是AD586KR。
AD7190没做过。可否看下LZ的电路？