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奇怪的MOS管损坏问题

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lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 11:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
       奇怪的MOS管损坏问题,如附件图片所示,我想使用3.3v标准的使能信号EN_15来控制15的开关,就使用了一个P/N双通道的MOS管来实现,EN_15来控制下管的NMOS,再通过这个NMOS来控制上面的PMOS,从而实现控制15V电源的开关。
      但实际测试这个电路,发现MOS管老是损坏(最常见的是PMOS的D,S,G全短路,NMOS的D,S短路),导致这个电源系统都异常的,MOS管损坏并不是在上电瞬间损坏的,而是在连续工作一段时间后损坏,我选择的P/NMOS管事SI5504BDC,其最大电流是4A的,但我设备上实际的最大负载只有50mA,远远小于MOS管的标称值,而且这个MOS关的RDS也不是很大,IDS电流也小,应该不至于损坏啊,但目前测试是,连续工作几个小时候后器件就算坏了,找了几天也没找到原因,还请高手指点一二啊。 SI5504BDC.pdf (150.14 KB)


MOS.jpg (34.97 KB )

MOS.jpg

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沙发
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 11:50 | 只看该作者
在线等待高手指点

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板凳
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 11:52 | 只看该作者
这批大洋了50个板卡,几乎每个板子的上面的这个MOS关都损坏了

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地板
望断云山| | 2012-12-10 12:08 | 只看该作者
两个mos的G极可能都需要串接一个电阻吧,pmos的G极没有电阻,nmos导通的瞬间相当于短路,原因在这里?

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5
望断云山| | 2012-12-10 12:11 | 只看该作者

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6
bald| | 2012-12-10 12:11 | 只看该作者
这个管子带不了那么大容性负载,看一下手册上的安全工作区。

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7
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 12:48 | 只看该作者
望断云山 发表于 2012-12-10 12:08
两个mos的G极可能都需要串接一个电阻吧,pmos的G极没有电阻,nmos导通的瞬间相当于短路,原因在这里? ...

但MOS管损坏并不是在上电瞬间损坏的,都是在连续工作中损坏的啊

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8
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 12:49 | 只看该作者
bald 发表于 2012-12-10 12:11
这个管子带不了那么大容性负载,看一下手册上的安全工作区。

我模电不是很好,那个事MOS管的安全区啊?

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mohanwei| | 2012-12-10 13:32 | 只看该作者
负载是什么?别是一个电磁线圈……
还有正常负载电流50mA,不代表最大电流是50mA……如果负载输入端有一个很大的滤波电容,最大电流上百A都很正常

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10
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 13:36 | 只看该作者
mohanwei 发表于 2012-12-10 13:32
负载是什么?别是一个电磁线圈……
还有正常负载电流50mA,不代表最大电流是50mA……如果负载输入端有一个 ...

负载时一款CCD,CCD上面写的她的最大电流是50mA,MOS输出后面连接的容性负载总共加起来差不多35uF

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11
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 13:37 | 只看该作者
mohanwei 发表于 2012-12-10 13:32
负载是什么?别是一个电磁线圈……
还有正常负载电流50mA,不代表最大电流是50mA……如果负载输入端有一个 ...

我测试过MOS管后面不接负载,我连接100欧姆的电阻负载(此时电流在150mA左右),连续工作几天后都还是损坏了

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12
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 13:40 | 只看该作者
mohanwei 发表于 2012-12-10 13:32
负载是什么?别是一个电磁线圈……
还有正常负载电流50mA,不代表最大电流是50mA……如果负载输入端有一个 ...

这款CCD的DEMO上15V电源是一个LDO来产生的,LDO的最大电流是100mA,从他DEMO上来看,15V电源负载电流应该只有50mA左右!

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13
xwj| | 2012-12-10 13:48 | 只看该作者
15V的来源?

是否栅源电压过高导致栅源击穿,N管将电源短路全烧?

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14
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 13:54 | 只看该作者
xwj 发表于 2012-12-10 13:48
15V的来源?

是否栅源电压过高导致栅源击穿,N管将电源短路全烧?

这个MOS关VGS允许最大电压是20V,应该不存在问题的,这个15V是由前面的DC-DC产生的

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15
airwill| | 2012-12-10 13:54 | 只看该作者
楼主可以实际测试一下, 工作中的电源消耗电流是多少.
我估计这是控制系统的问题导致的.
比如 MOS 管的控制信号开关速度太慢. 导致开关过程中 MOS 管消耗的功率比较大, 时间一久, 过热失效了.
而后面那几个电容也加剧了 MOS 管开关过程中的功耗.

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16
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 14:13 | 只看该作者

MOS管的安全区间左侧曲线是什么意思呢?同时存在一条水平的直线与一条斜线是什么意思呢?X轴的VDS电压应该是MOS管导通后的电压吧?为什么导通后的VDS电压越小其允许的电流越小呢(根据UI乘积结果)?

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17
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 14:44 | 只看该作者
airwill 发表于 2012-12-10 13:54
楼主可以实际测试一下, 工作中的电源消耗电流是多少.
我估计这是控制系统的问题导致的.
比如 MOS 管的控制 ...

但实际测试中MOS管都不是在上电器件损坏的,都是在上电后联系工作7,8个小时左右就坏了,而且我后面专门写过一个测试程序,频繁开关这个MOS管,并没有损坏。
至于实际的电流现在一时还没法测,器件是QFN的,全在内层走线,但根据器件手册上说,负载最大电流不会超过50mA,而且厂家提供的DEMO上,该15V电源的电流也只有100mA。

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18
xhzheng0| | 2012-12-10 14:51 | 只看该作者
建议在G极分别加入0.1uF电容,
最后的MOS使用电阻分压,以达到开启电平,不建议直接拉电源;
另,如5楼说法,加入串接电阻;

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19
lczhoujq|  楼主 | 2012-12-10 15:31 | 只看该作者
xhzheng0 发表于 2012-12-10 14:51
建议在G极分别加入0.1uF电容,
最后的MOS使用电阻分压,以达到开启电平,不建议直接拉电源;
另,如5楼说法 ...

电阻分压的方式有什么好处吗?

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20
f747| | 2012-12-10 17:54 | 只看该作者
EN_15 3.3V驱动电压可能太低了,导通内阻会很大,改到5V看看.

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