可控硅问题？

发表于 2007-5-27 22:21

我设计的可控硅驱动正反转单相马达（250W）控制器，采用MOC3061光藕，BTA16-600双向可控硅，可控硅A1和A2脚并联47欧串474P630V电容吸收电路，测试时发现BTA16常有击穿，474P630V电容也会击穿。
换成采用MOC3081光藕，BTA16-800双向可控硅，击穿现象变少，但仍有发生，给光藕的电流大约为8～9MA，电流连续。会时什么问题呢？

发表于 2007-5-28 00:18

发表于 2007-5-28 08:07

发表于 2007-5-28 21:36

问题确实存在！可控硅触发线路也不长，正转可控硅电路一份，反转一份，线路相同，HOT均连接火线，正、反控制线也经逻辑互锁，只是控制电流是连续（小于4秒）而非脉冲，这有问题吗？
正转时，反转可控硅A1、A2脚间测得电压400伏左右，吸收回路电容测得电压同值，总电路通过5A保险保护，但保险从来没有烧断，但还是发生击穿可控硅和吸收电容的现象，真是伤心！请朋友们指点指点，不胜感激！
附图。

发表于 2007-5-28 22:28

发表于 2007-5-29 11:03

发表于 2007-5-29 18:06

10u电容不能少，没有电容，马达无法转动。

发表于 2007-5-31 21:19

发表于 2007-5-31 22:22

发表于 2007-5-31 22:24

发表于 2007-5-31 23:48

发表于 2007-6-1 08:59

有可能是可控硅触发过程中电感和电容有高次谐波的谐振产生的高压(高压也能触发可控硅), 在474电容边上并个600V 压敏电阻试试吧.

发表于 2007-6-1 09:18

是怎么算出来的？

发表于 2007-6-1 22:11

更正：吸收电容为473P，不是474P，是否电容值不够引发故障？

1、可控硅损坏是发生在换向过程中还是单向工作启动停止时？
   启动和运行过程都有，运行过程先击穿电容，继而击穿可控硅，今天试过只击穿电容，烧坏47欧电阻，可控硅正常。
2、切换间形成回路
   换向过程0.7秒，马达已经停转，应该不至于引起故障。
3、有可能是可控硅触发过程中电感和电容有高次谐波的谐振产生的高压(高压也能触发可控硅), 在474电容边上并个600V 压敏电阻试试吧
   有没有其他办法呢？若600V 压敏电阻触发，47欧电阻会不会烧坏？
4、给光藕的电流大约为8～9MA是怎么算出来的？
   (5V-1.2V-0.4V)/380欧

我经查阅了一些资料，改进了部分线路，请大家分析一下，看看这样改有没有问题？

发表于 2007-6-2 21:48

怎么都不感兴趣？

发表于 2007-6-3 04:38

你把吸收回路器件的参数调一下。电容的耐压调到400V，电阻的功率调到2W（阻值也可能加点）。

发表于 2007-6-5 21:39

在吸收电路到电机相线间串一空心电感。或者一个大点的电感，要保证电感不会饱和。
压敏电阻是必须要的。
其他地方没有问题。

发表于 2007-6-6 23:04

施加给光电管的电流是连续的还是脉冲的呢？压敏电阻加在可控硅的A1、A2端吗？我按上述电路测试，吸收电路由47欧1/2瓦电阻、503P电容组成，结果还发生47欧1/2瓦电阻烧焦的现象，电容和可控硅正常，是什么问题呢？

发表于 2007-6-7 00:17

加压敏电阻，和换吸收回路的电容0.1uF/250VAC ！！！应该没问题，还有吸收回路可以只有一个－共用就可以了。。。。

发表于 2007-6-7 01:56

可控硅问题？

相关帖子

应该没有问题的

好像没问题,不过可在光藕pin4与可控硅栅极之间加一个电阻限

问题确实存在！

可控硅啊，我也正找它了

可能是10uF造成的，由于它的存在产生了移相

10u电容不能少

大家没兴趣讨论这个问题吗！

可控硅损坏是发生在换向过程中还是单向工作启动停止时？

没说是去掉那个电容，只是说可能由于它才把电压提了上来

切换间形成回路

在474电容边上并个600V 压敏电阻

给光藕的电流大约为8～9MA

感谢热情的朋友

怎么都不感兴趣？

lz在这里说了半天，没有试试呀？

串个电感就ok了吧

控制电流

加压敏电阻，和换吸收回路的电容0.1uF/250VAC ！！！

电阻再大点，功率用1W的

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