可控硅的移相控制是怎么实现的

发表于 2007-5-28 22:26

请问可控硅的移相控制是怎么实现的

发表于 2007-5-29 00:15

发表于 2007-5-29 00:20

原则是交流电过零一段时间后去触发可控硅。这段时间的长度就决定了可控硅的导通角。

发表于 2007-5-29 10:48

掌握得好很有用：）

发表于 2007-6-5 08:38

交流信号过零,延迟打开可控硅,就是控制可控硅的导通角,就可以做到可控硅的移相控制拉

发表于 2007-6-5 08:49

原则是交流电过零一段时间后去触发可控硅。这段时间的长度就决定了可控硅的导通角。

我也是按此原理做了一个控制可控硅,但是发现一个问题,当交流电过零一段时间(T),当T时间越大,发生当触后可控硅,会发现整个电网的电压都发生了变化,日光灯都忽然暗一下.

负载是600W的发热盘.

可以说说是这个现象怎样解决.

发表于 2007-6-5 14:28

尤其在接近峰（谷）值，这是电压最高，突然加一个较大的负载，电压会有一点跌落（也可能你的电源线有点细），但是按理600W不应该这么明显

发表于 2007-6-5 18:40

T是指从零点到峰（谷）值之间
电源线不细,可以过5000W.

发表于 2007-6-5 20:31

可控硅破碎了波形，可以改变有效值，但改变相位的说法很牵强。如国真正需要改变相位，可以使用 PWM

发表于 2007-6-5 22:47

可控硅的移相控制是怎么实现的

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