关于VDD和VDDA

发表于 2012-12-19 15:59

各位好，我在STM32硬件设计中看到如上图所示，VDD和VDDA电压不能超过300mV，我原来设计的VDD是3.3V，VDDA是3.16V，但是这样我的AD采样精度不够好，因为AD采样的电压值只有2.5V以下距离VREF(VREF接VADD的)差距太大，现在我把VDDA设计成2.5V，这样的话精度就能提高一些，但是VDD和VDDA之间就超过了300mV了，我就不知道超过了会引起什么样不好的后果？

发表于 2012-12-19 16:42

请教啊，各位大虾

发表于 2012-12-19 20:40

没人回我？呼唤香主

发表于 2012-12-19 22:02

VDD 也使用2.5V；不过：
“现在我把VDDA设计成2.5V，这样的话精度就能提高一些”不知道从何理解

发表于 2012-12-19 22:20

TRUE_ARM 发表于 2012-12-19 22:02
VDD 也使用2.5V；不过：
“现在我把VDDA设计成2.5V，这样的话精度就能提高一些”不知道从何理解 ...

因为我采集的信号只有1V，那2.5V的参考电压对应的AD值就大，那样我的读数分辨率就高了

发表于 2012-12-20 08:59

这人气真气人，大侠们都跑哪去了，还是去官方论坛转转吧

发表于 2012-12-21 13:41

香主回下我

发表于 2012-12-21 15:55

VDD和VDDA电压超过300mV，有可能AD精度变差，甚至STM32芯片可能会损坏。

发表于 2012-12-24 17:19

IJK 发表于 2012-12-21 15:55
VDD和VDDA电压超过300mV，有可能AD精度变差，甚至STM32芯片可能会损坏。

谢谢回答，我实际用超过300mV测得的AD精度没有变查，芯片也没有损坏，是不是不适宜长时间工作？

发表于 2012-12-26 08:42

zxz_chy 发表于 2012-12-24 17:19
谢谢回答，我实际用超过300mV测得的AD精度没有变查，芯片也没有损坏，是不是不适宜长时间工作？ ...

超过300mV ，到底会出现什么问题，恐怕得问ST的人。但我想，还是避免这么用为好。

发表于 2012-12-26 10:31

估计会对片上数模之间的接口电路造成影响，如PLL什么的！

发表于 2012-12-27 20:11

IJK 发表于 2012-12-26 08:42
超过300mV ，到底会出现什么问题，恐怕得问ST的人。但我想，还是避免这么用为好。 ...

ST的人呢，帮我回个吧

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