mos管的问题

发表于 2012-12-23 21:04

为什么小信号只能在mos管的饱和区放大？？不能在三极管区放大呢？？

发表于 2012-12-24 10:37

可能是我水平低，读不懂你的问题。

发表于 2012-12-24 12:02

偶也看不懂这个问题

发表于 2012-12-24 19:42

不会吧？？mos管不是有3个工作区域吗？？三极管区和饱和区和截止区。饱和区用于放大啊，为什么不选三极管区作为放大呢？？

发表于 2012-12-26 14:35

看不懂问题，小信号一般都在放大区放大开关电路采用到饱和区与截止区吧

发表于 2012-12-26 14:52

我也表示看不懂

发表于 2012-12-26 16:53

你们真的不懂吗？？mos管分三极管区，饱和区和截止区，晶体管分饱和区，放大区和截止区！mos管的饱和区就是放大区，名字的叫法不一样啊，你们可以看看书上的定义啊，别弄混了。

发表于 2012-12-26 17:04

我以为你们都懂模电呢？？模电书上不是说了吗.mos管的饱和区就是晶体管的放大区，三极管区就是晶体管的饱和区。只是叫法不一样啊。mos管的饱和区和三极管区的分界点就是当Vds增大到一定程度是，会pinchoff啊。你们不会不晓得吧！

发表于 2013-1-9 15:15

MOS管的三极管区是可变电阻区，不是放大区，在这个区域，输出信号确定于Ugs和Uds两个变量，并且Uds对其影响很大，所以小信号不在这个区域放大。对于饱和区，其实对应着三极管的放大区，这时候Id只受Ugs的控制！

发表于 2013-1-9 15:17

MOS管饱和区，Id=0.5*UnCoxW/L（Ugs-Uth）*（Ugs-Uth），这个是MOS工艺确定的！

发表于 2013-1-10 11:00

谢谢