mos管驱动感性负载的问题

发表于 2013-1-1 22:03

我用了一个PMOS管控制电锁，发现MOS管容易烧坏，已经在电锁两端接了二极管，还是不行。当PMOS管被击穿后，电流进入G极后，把控制电路都烧掉了，求解，先谢谢各位大侠了。

发表于 2013-1-1 22:29

应该是过流所致，换更大规格的MOS管。

发表于 2013-1-3 15:24

MOS管电流有4A，只用到了2A，我想还是电锁通断瞬间带来的高脉冲所致。抑制还有点困难，高手请赐教。

发表于 2013-1-3 23:58

必须考虑瞬态最大电流，不能只考虑平均或者稳态电流。

发表于 2013-1-4 08:28

电锁上并的二极管只能处理电锁线圈储能, 长长的引线上的储能仍然需要辞放, 如果处理不当, 就只能通过击穿MOS这一条路可走. 另外, MOS关断速度太快, 耐压裕量不够, 继流二极管速度不够等原因也有一定影响.

发表于 2013-1-4 08:49

负载电流2A，应该选择大很多的MOS管，比如10A的。
负载处加二极管外，最好并联RC吸收回路，要靠近MOS管。
另外，检查一下驱动电压是否合理，驱动输出可以串联电阻保护一下，并联一个电容，开关速度也可以变慢一些。

发表于 2013-1-4 08:53

应该是过流所致，换更大规格的MOS管。

发表于 2013-1-4 10:12

楼主还是说说, MOS在什么情况下损坏, 是长期通电吸合时损坏? 还是断电开门时损坏?

发表于 2013-1-4 15:42

把图纸发出来，分析才清楚些，不然只能是乱猜。就如8楼的兄弟说的那样，你连在什么状态下烧管都没说。怎么分析？

发表于 2013-1-4 15:47

这个是电锁，只是通电一下，马上断电。RC电路有的说是交流上比较适用。

发表于 2013-1-4 16:12

有一点也很重要，MOS驱动电路是否能保证MOS管彻底导通？

发表于 2013-1-4 22:25

上图吧！以便进一步分析

发表于 2013-1-4 22:25

上图吧！以便进一步分析