打印

MOS管如何做负载短路保护?

[复制链接]
8365|6
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
lfy21cn|  楼主 | 2007-9-11 13:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
lfy21cn|  楼主 | 2007-9-11 14:14 | 只看该作者

补充-

也别取样电阻,那负载也就0.3欧。

使用特权

评论回复
板凳
jasonell| | 2007-9-11 16:02 | 只看该作者

mosfet 的RdsOn 可以做取样电阻啊

使用特权

评论回复
地板
ocon| | 2007-9-11 23:39 | 只看该作者

IGBT的驱动模块里是这样判断的,

当栅极控制信号来的时候测量发射极和集电极之间的电压差,正常的话因为此时管子导通,电压差肯定很低,如果过流,压差会增大很多,用这个特点判断即可。

使用特权

评论回复
5
ocon| | 2007-9-11 23:46 | 只看该作者

有些驱动模块还可以在自动限制dV/dT的情况下降低栅极驱动电

以安全关断管子,同时用光隔送出开关量过流信号。

使用特权

评论回复
6
edanzg| | 2007-9-11 23:47 | 只看该作者

呵呵,要是我偏偏就要整个取样电阻,

或者用3楼提供的方法,IR有出一款带这个检测功能的mosfet驱动IC,型号忘记了,可到其网站去查。 4楼提供的方法与3楼类似。

使用特权

评论回复
7
shiyan1532| | 2013-1-15 22:17 | 只看该作者
:)

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

54

主题

259

帖子

0

粉丝