经过了几个星期的努力和N次的烧管失败之后，我们组终于完成了小车的第一部分：最小系统和H桥。以下是我对这部分的一些总结和经验教训。
我们采用的单片机型号的STC12C5410AD，主要是因为它有4路PWM、PCA，高速AD转换等功能。最小系统我用了一个星期才做出来…当时一直纠结在protel布线和制不制双层板的问题上，后来还是制单层板了，还跳了几根线。不过最小系统还是顺利工作了。但是后来我们又发现了一个严重的问题了，就是最小系统的i/o接到H桥上不能至高平了。后来发现是单片机内置的上拉电阻太大了，解决办法有：1.在i/o再并联4.7K排阻作为上拉电阻。2.把H桥的下拉电阻改大——100K以上。就这样，最小系统的就基本上没有问题了。
接下来的就是差点让我感觉不会再爱的部分了——H桥！！我们是采用了圆梦二代的H桥——用mos管、与门、三极管等独立元件搭建。以下是组成元件的功能分析：1.R11-R14,下拉电阻：当没有接i/o的时候都为低电平，防止悬空，接到i/o上就上拉为高电平。2.74HC08芯片，四路与门集成，和9013NPN三极管共同作用防止mos管同侧导通。3.R1、R9等，限流。4.C1和C2：增加阻容演示效果，延长Q5和Q6两个mos管的导通时间，截止时间不受影响。防止mos管同侧导通4.si2301 P沟道mos管和si2302 N沟道mos管在这里做开关作用，工作在饱和状态。具体就看Datasheet吧！^_^！5.R2、R5等为上拉电阻，防止电平悬空。
那是什么导致了我们会烧了这么多个mos管的，而且烧来烧去都是原理图左侧的那个si2301mos管呢？这是我的猜想：1.一开始我们用的R11—R14是10K的电阻的，可能是因为阻值太小导致了mos管同侧导通，但是如果是同侧导通的话为什么只会烧坏那一个mos管呢？2.我们犯了一个很严重的错误，R2和R3我们改为接到7.2V的电池上了，但是下面的R5和R6却还是接到+5V的VCC。经过我们修改之后问题就没有了，但是我们还是没分析出原因是什么。这个要求大神帮忙了！！
好吧，不管怎样，小车的第一部分已经完成了！接下来就要实现基本功能和提升了！今晚组装好就发一下它的帅气图！！O(∩_∩)O
写得还是比较粗糙的，有什么地方错了请大家指出来吧，大家交流交流！
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