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请问，N沟道MOSFET，处于“ON”状态时，Vgs必须小于Vds吗？

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楼主
cozy|  楼主 | 2009-1-14 09:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FET, MOS, MOSFET, os
请问，N沟道MOSFET，处于“ON”状态时，Vgs必须小于Vds吗？
谢谢

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沙发
反孔精英| | 2009-1-14 11:38 | 只看该作者

V（br）gs低于V（br）ds

所以要V（br）gs低于V（br）ds，具体要看datasheet

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板凳
cozy|  楼主 | 2009-1-14 11:51 | 只看该作者

忘记说了，是N沟道增强型的MOS

另外：我觉得“ON”状态的要求与击穿电压没有多大关系吧

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地板
赤铸| | 2009-1-14 21:37 | 只看该作者

正相反，“ON”状态时，Vgs通常大于Vds

因为开关工作下 Vds 接近 0

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5楼
xiaotiger| | 2009-1-17 10:50 | 只看该作者

如下

mos管开关模型条件：Vds < Vgs - VT
mos压控电流源模型：Vds > Vgs -VT

临界点：Vds = Vgs -VT

VT为阀值电压

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6楼
tc9148| | 2009-1-17 22:42 | 只看该作者

赤铸说的对

Vds on时，电压在0.1v左右。

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7楼
houniao88| | 2009-2-2 15:02 | 只看该作者

了解

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