请教如何让单片机“死锁”

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 楼主| 谈的元 发表于 2007-10-16 19:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
大家好!


    请教如何让单片机死锁?(PIC或 EMC 的8位单片机)

   用打火机放电的东西在单片机上背上放电也不 能死锁,

   连复位都很少,怎么办可以看到死锁现象?
   
   谢谢大家了。

XDEGE 发表于 2007-10-16 19:55 | 显示全部楼层

死锁?

死锁?

怎么样的死锁?程序跑飞?还是工作不正常,为了解密?
嘻嘻!
 楼主| 谈的元 发表于 2007-10-16 20:43 | 显示全部楼层

死锁就是让单片机发烫

    程序跑飞,工作不正常,那都是编程的问题。

    死锁是单片机发烫,复位都没用。以前有贴子。

  我没见过死锁的情况,

  到底是怎么样的一回事,想验证一下。

  也想知道我用的芯片到底怎么样
    

jerkoh 发表于 2007-10-16 22:10 | 显示全部楼层

试下

用烧红的烙铁滋在CPU的表面,哈哈
bg6nw 发表于 2007-10-16 23:11 | 显示全部楼层

你说的是不是CMOS集成电路的寄生可控硅效应?

被触发之后迅速发热,如果电源没有限流措施,IC将很快烧掉。
想看到这种现象需要在电源端引入很大噪声,瞬间值要超过MAX VDD,大概20V左右。
ayb_ice 发表于 2007-10-17 08:11 | 显示全部楼层

打高静电。。。

 楼主| 谈的元 发表于 2007-10-17 18:28 | 显示全部楼层

先谢谢大家了



一般高静电怎么操作  才比较有效果。

tage 发表于 2007-10-17 20:01 | 显示全部楼层

pic

的单片机管脚加一个 负压 脉冲 试验一下。
yewuyi 发表于 2007-10-17 22:30 | 显示全部楼层

LS方法是对的。

一定要注意不要烧了。
awey 发表于 2007-10-18 00:03 | 显示全部楼层

加超出0-Vcc范围的电压脉冲到IO口

yewuyi 发表于 2007-10-18 08:37 | 显示全部楼层

不建议加正电压

过高的正电压虽然也可能实现,但操作的时候似乎更可能让CHIP整个OVER
mxh0506 发表于 2007-10-18 12:45 | 显示全部楼层

如果既想看latch-up又不想MCU over

可以在VDD上串限流器件(电阻或自复保险)
是否容易出现latch-up现象和芯片的制造工艺有关,现在的片子不那么容易锁了
ayb_ice 发表于 2007-10-18 13:36 | 显示全部楼层

单片机工作电流很小,适合用自复保险吗?

 楼主| 谈的元 发表于 2007-10-18 19:16 | 显示全部楼层

打火机或煤气点火枪 在芯片附件放电



打火机或煤气点火枪  在芯片附件放电    

不知是正的还是负的电压?
;;;;;;;

发现 flash的芯片整体抗静电的能力 低于 OTP系列的。

不知大家是否有同感。  注意是说整体。
ayb_ice 发表于 2007-10-19 08:10 | 显示全部楼层

高可靠性的情况就是要用OTP。。。

liyinchao 发表于 2007-10-19 08:14 | 显示全部楼层

用 微波炉

加热
 楼主| 谈的元 发表于 2007-10-19 21:10 | 显示全部楼层

就是发现0TP的的确好些

有没有朋友发现OTP的芯片被打的发烫的?

我倒试出了flash的片子被打的发烫了
ethunter 发表于 2007-10-20 09:39 | 显示全部楼层

楼主有啥目的?

玩这么高深的东西,看来要做一个在很恶劣环境下的项目哦...
yewuyi 发表于 2007-10-20 13:00 | 显示全部楼层

没听说……

ayb_ice 发表于 2007-10-19 08:10 侃单片机 ←返回版面    

15楼: 高可靠性的情况就是要用OTP。。。 

 
以OTP/FLASH来决定,有点说笑了把?

只是设计指标的问题,如果OTP设计指标不达FLASH,OTP应该是不好了,呵呵,不知道你是根据什么来确定这个观点的?
ayb_ice 发表于 2007-10-20 13:46 | 显示全部楼层

回yewuyi,我说的对不对,自己去GOOGLE一下。。。

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