这本书的题目是课本正文的拓展，所以难度大点，像爱伦那本，题目是正文的重复，所以难度小点。CMOS设计是需要较长的咀嚼消化时间的，短时间猛看书猛做题不会有突飞猛进的进步的，充其量是死记硬背了一些结论而已。比如说，为什么不管是强反还是弱反型，ID都正比于W/L?为什么强反时是2/3Cox?
最要命的是：根据表中给的K,VT,lambda等参数，计算出来的值和答案一模一样，但是和仿真结果相比，差十万八千里。所以，很多人在校时，什么都算，工作后，都懒的算宽长比了，因为算出来的太不准，根本没个鸟用，都是严重依赖于仿真器了。
问题：模型太简单，铁定不准；模型太复杂，根本不适合手算，矛盾。再则，就算精确计算出gm，rds等参数，它们与设计指标不直接相关，浪费了时间。
咋办？
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楼主
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