求教晶振电容的接地问题

发表于 2013-1-16 20:40

看过TI的MSP430开发板的原理图，外接晶振上的两个电容接地，32.768K晶振电容都是接到模拟地AVSS，而高速晶振上的电容都是接到数字地GND上，请教一下，是不是所以单片机外接晶振的电容都可以接到数字地GND上？何种情况下可以接到模拟地上？

发表于 2013-1-16 20:52

通过电容接地频率稳定可靠，简易的不使用电容

发表于 2013-1-16 20:58

一般晶振边上就会有地线引脚, 电容应该是就近接地

发表于 2013-1-16 20:59

本帖最后由 airwill 于 2013-1-17 14:12 编辑

个人认为, 最好连接数字地.

发表于 2013-1-16 20:59

严格来说都应该在数字地上，电容是构成晶体并联谐振的必要条件，不接电容，晶体的振荡频率将严重偏移设计值。

发表于 2013-1-17 13:54

airwill 发表于 2013-1-16 20:59
一般晶振边上就会有地线引脚, 电容应该是就近接地

当然要接地，我的问题是：应该接数字地还是接模拟地？

发表于 2013-1-17 14:01

我觉得应该接数字地，因为数字电路的抗干扰能力较强，而模拟电路感觉比较脆弱。

发表于 2013-1-17 15:45

单片机接什么地，他就接什么地。接到最近的单片机电源地

发表于 2013-1-17 16:57

32.768K晶体一般是用来做RTC模块使用，追求的是低功耗，其电路设计时的驱动能力就最的刚好够用，意思就比较容易受干扰，所以一般接模拟gnd。而高频晶体没这个需求，所以接到数字GND。

发表于 2013-1-17 17:14

楼上完美解答。

发表于 2013-1-17 17:16

daijl8210 发表于 2013-1-17 16:57
32.768K晶体一般是用来做RTC模块使用，追求的是低功耗，其电路设计时的驱动能力就最的刚好够用，意思就比较 ...

这是以集成电路为单位的接地。

楼主所说的，有可能晶振的工作地在一点上与单片机电路共地，难道你还把晶振电容的地拉到别的地方。这样干扰会沿线分布，去耦电容都没分滤掉。

我认为，同一模块（集成电路），如果一个其中一部分没有独立的电源地，其它需要接地的点，如晶振电容，集成电路内部电源的去耦电容等，都接到集电电路的退耦电容的地端。如果电流不大，直接就接到集成电路工作地最近的地方

发表于 2013-1-17 17:54

NE5532 发表于 2013-1-16 20:59
严格来说都应该在数字地上，电容是构成晶体并联谐振的必要条件，不接电容，晶体的振荡频率将严重偏移设计值 ...

"不接电容，晶体的振荡频率将严重偏移设计值。" 什么意思？此话好像不妥。

发表于 2013-1-17 17:58

晶振外接的2个电容对改变晶振的振荡频率几乎无能为力。

simon_lee · 发表于 2013-1-17 18:05

本帖最后由 xmar 于 2013-1-17 18:06 编辑

晶振外接的2个电容对振荡器启振难易影响确非常大、并且，此电容可大大降低分布杂散电容及温度对振荡器的影响。特别对提高大批量产品的一致性有很好的作用。仅此而已。

发表于 2013-1-17 19:30

xmar 发表于 2013-1-17 18:05
晶振外接的2个电容对振荡器启振难易影响确非常大、并且，此电容可大大降低分布杂散电容及温度对振荡器的影 ...

请查下晶体的“牵引系数”指标和“并联谐振”“串联谐振”状态就知道了，以前我也不信，搞射频吃够了苦头，才把那两个电容搞清楚的，莫非搞模拟的maychang也迷糊了？:o

登录 · 发表于 2013-1-17 19:41

对晶体感兴趣的请自己看吧。

发表于 2013-1-17 19:46

留标记学习，还没深入了解过这个方面，自己照猫画虎，呵呵，总是接的单片机的地。

发表于 2013-1-17 20:31

NE5532 发表于 2013-1-17 19:30
请查下晶体的“牵引系数”指标和“并联谐振”“串联谐振”状态就知道了，以前我也不信，搞射频吃够了苦头 ...

楼主问题仅限单片机上使用的晶体，并未涉及其它情况。对单片机上使用晶体来说，xmar所言完全正确。

发表于 2013-1-17 20:41

:funk:呃…………………………………………好吧，仅限用单片机的

发表于 2013-1-18 00:56

mark

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